[發明專利]外延基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201910085205.7
• 申請日: 2019-01-29
• 公開（公告）號: CN110350021B
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 施英汝;莊志遠;李奇澤;范俊一;徐文慶
• 申請（專利權）人: 環球晶圓股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/18
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

1.一種外延基板，其特征在于，包括：

元件基板，具有相對的第一表面與第二表面以及介于所述第一表面與所述第二表面之間的斜面，其中所述元件基板的厚度介于100微米至200微米之間；以及

處理基板，接合于所述元件基板的所述第二表面，其中所述元件基板的氧含量小于所述處理基板的氧含量，所述元件基板的所述斜面與所述處理基板之間具有大于90°的接合角度，且所述斜面朝向所述處理基板的投影長度介于600微米至800微米之間。

2.根據權利要求1所述的外延基板，其中所述元件基板的電阻率大于所述處理基板的電阻率。

3.根據權利要求1所述的外延基板，其中所述元件基板的電阻率大于100 ohm-cm。

4.根據權利要求1所述的外延基板，其中所述元件基板的晶向誤差小于±0.05度。

5.根據權利要求1所述的外延基板，其中所述接合角度為100°至170°。

6.根據權利要求1所述的外延基板，其中所述元件基板的所述氧含量小于5 ppma。

7.根據權利要求1所述的外延基板，還包括接合層，設置于所述處理基板與所述元件基板之間。

8.根據權利要求7所述的外延基板，還包括電荷捕捉層，設置于所述處理基板與所述接合層之間。

9.根據權利要求1所述的外延基板，還包括保護層，設置于所述處理基板未接合于所述元件基板的表面上。

10.根據權利要求2所述的外延基板，其中于450°C一小時退火后，所述元件基板的電阻率大于所述處理基板的電阻率。

11.根據權利要求2所述的外延基板，其中于720°C兩分鐘熱處理后，所述元件基板的電阻率大于所述處理基板的電阻率。

12.根據權利要求1所述的外延基板，其中所述處理基板的直徑與所述元件基板的所述第二表面的直徑之間相差0.2mm以上。

13.根據權利要求1所述的外延基板，還包括注入區，位于所述元件基板的所述第一表面內，且所述注入區與所述第一表面之間的距離為10nm~95nm。

14.根據權利要求1所述的外延基板，其中所述處理基板的最大變形量小于6.5mm。

15.一種外延基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供處理基板；

對元件基板的邊緣進行斜邊處理，使所述元件基板的所述邊緣形成斜面；

對所述元件基板的第一表面進行離子注入工藝，以于所述第一表面內形成注入區；以及

將所述元件基板的第二表面與所述處理基板接合，以形成外延基板，其中元件基板的所述斜面與處理基板之間具有大于90°的接合角度，所述元件基板的厚度介于100微米至200微米之間，且所述斜面朝向所述處理基板的投影長度介于600微米至800微米之間。

16.根據權利要求15所述的外延基板的制造方法，其中所述注入區與所述第一表面之間的距離為10nm~95nm。

17.根據權利要求15所述的外延基板的制造方法，其中提供所述處理基板的方法包括于長晶時摻雜碳、氮或其組合。

18.根據權利要求15所述的外延基板的制造方法，其中提供所述處理基板之后，還包括于所述處理基板未接合于所述元件基板的表面上形成保護層。