[發明專利]分割預定線的檢測方法在審
| 申請號: | 201910084936.X | 申請日: | 2019-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN110120356A | 公開(公告)日: | 2019-08-13 |
| 發明(設計)人: | 田篠文照;井谷博之 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01S15/02 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分割預定線 檢測 半導體裝置 超聲波測量 反射回波 器件芯片 工作臺 超聲波照射單元 超聲波探頭 多個器件 樹脂密封 相對移動 超聲波 單片化 切削屑 附著 照射 測量 芯片 加工 | ||
提供分割預定線的檢測方法,能夠降低伴隨著加工的切削屑附著于器件芯片的可能性。分割預定線的檢測方法對用于將具有被樹脂密封的多個器件芯片的半導體裝置按照每個器件芯片進行單片化的分割預定線進行檢測,該分割預定線的檢測方法具有保持步驟(ST1)、超聲波測量步驟(ST2)以及檢測步驟(ST3)。在保持步驟中,將半導體裝置保持于保持工作臺。在超聲波測量步驟中,一邊使保持工作臺所保持的半導體裝置和作為超聲波照射單元發揮功能的超聲波探頭按照規定的間隔在水平方向上相對移動,一邊對半導體裝置的規定的厚度部分照射超聲波,并對反射回波進行測量。在檢測步驟中,根據反射回波的分布對分割預定線進行檢測。
技術領域
本發明涉及分割預定線的檢測方法。
背景技術
當按照每個器件芯片對具有被樹脂密封的多個器件芯片的半導體裝置進行分割時,為了識別分割預定線,已知有將半導體裝置的外周部去除而使埋設于分割預定線的槽的樹脂露出的方法(例如,專利文獻1)。
專利文獻1:日本特開2017-117990號公報
但是,在專利文獻1的方法中,存在如下的問題:對半導體裝置的外周部進行加工,從而伴隨著外周部的加工的切削屑有可能會附著于器件芯片。
發明內容
本發明是鑒于該問題點而完成的,其目的在于提供分割預定線的檢測方法,降低伴隨著加工的切削屑附著于器件芯片的可能性。
為了解決上述的課題而實現目的,本發明的分割預定線的檢測方法對用于將具有被樹脂密封的多個器件芯片的半導體裝置按照每個該器件芯片進行單片化的分割預定線進行檢測,其特征在于,該分割預定線的檢測方法具有如下的步驟:保持步驟,將該半導體裝置保持于保持工作臺;超聲波測量步驟,一邊使該保持工作臺所保持的該半導體裝置和超聲波照射單元按照規定的間隔在水平方向上相對移動,一邊對該半導體裝置的規定的厚度部分照射超聲波,并對反射回波進行測量;以及檢測步驟,根據該反射回波的分布對該分割預定線進行檢測。
也可以是,該檢測步驟進一步具有如下的圖像處理步驟:將該反射回波轉換成具有顏色信息的圖像數據,該分割預定線的檢測方法根據該圖像數據的顏色信息對該分割預定線進行檢測。
也可以是,該分割預定線的檢測方法在實施該超聲波測量步驟之前具有如下的步驟:準備超聲波測量步驟,一邊使該半導體裝置和該超聲波照射單元按照規定的間隔在該半導體裝置的厚度方向上相對移動,一邊對該半導體裝置的內部照射超聲波,并對準備反射回波進行測量;以及準備檢測步驟,根據該準備反射回波在該半導體裝置的厚度方向上的分布而確定在該超聲波測量步驟中照射超聲波的位置。
也可以是,該準備檢測步驟進一步具有如下的準備圖像處理步驟:將該準備反射回波轉換成具有顏色信息的準備圖像數據,該分割預定線的檢測方法根據該準備圖像數據的顏色信息而確定在該超聲波測量步驟中照射超聲波的位置。
本申請發明的分割預定線的檢測方法起到如下的效果:能夠降低伴隨著加工的切削屑附著于器件芯片的可能性。
附圖說明
圖1是示出作為實施方式1的分割預定線的檢測方法的對象的半導體裝置的一例的正面視圖。
圖2是圖1的半導體裝置的II-II剖視圖。
圖3是示出切削裝置的結構例的立體圖,該切削裝置包含實施方式1的分割預定線的檢測方法中所用的分割預定線的檢測裝置。
圖4是圖3的切削裝置所包含的超聲波檢查單元的IV-IV剖視圖。
圖5是實施方式1的分割預定線的檢測方法的流程圖。
圖6是對圖5的超聲波測量步驟進行說明的說明圖。
圖7是示出在圖5的超聲波測量步驟中所測量的反射回波的一例的說明圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





