[實用新型]高空穴注入效率的LED外延結構

有效

• 申請號: 201520657363.2
• 申請日: 2015-08-28
• 公開（公告）號: CN204966527U
• 公開（公告）日: 2016-01-13
• 發明（設計）人: 鄭建欽;田宇;吳真龍;曾頎堯;賴志豪;林政志
• 申請（專利權）人: 南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.高空穴注入效率的LED外延結構，從下至上依次包括襯底（1）、GaN緩沖層（2）、未摻雜GaN層（3）、N型GaN層（4）、多量子阱（5）、電子阻擋層（6）、P型GaN層（7）和P型接觸層（8），其中多量子阱（5）由InGaN層（13）和GaN層（12）構成，其特征在于：所述電子阻擋層（6）從下至上依次由p型AlxGa1-xN層（9）、AlN層（10）和p型InyGa1-yN層（11）構成，其中0<x≤0.3、0<y≤0.2，所述電子阻擋層（6）包括8-12個生長周期，生長壓力為100-200Torr，在氮氣環境中生長。

2.根據權利要求1所述的高空穴注入效率的LED外延結構，其特征在于：所述p型AlxGa1-xN層（9）的厚度為40-60埃，生長溫度為900-1100℃。

3.根據權利要求1或2所述的高空穴注入效率的LED外延結構，其特征在于：所述AlN層（10）的厚度為5-15埃，生長溫度為900-1100℃。

4.根據權利要求3所述的高空穴注入效率的LED外延結構，其特征在于：所述p型InyGa1-yN層（11）的厚度為20-40埃，生長溫度為900-1100℃。

5.根據權利要求4所述的高空穴注入效率的LED外延結構，其特征在于：所述襯底（1）為藍寶石襯底、GaN襯底、Si襯底、SiC襯底或者LAO襯底中的任意一種。