[發(fā)明專利]TFT基板、具備TFT基板的掃描天線、以及TFT基板的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910081931.1
• 申請日: 2019-01-28
• 公開（公告）號: CN110098197B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發(fā)明（設計）人: 美崎克紀
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞;習冬梅

1.一種TFT基板，其具有電介質(zhì)基板、和排列在所述電介質(zhì)基板上并分別具有TFT和與所述TFT的漏極電極電連接的貼片電極的多個天線單位區(qū)域，其特征在于，具有：

所述TFT的半導體層；

柵極金屬層，其包含所述TFT的柵極電極；

柵極絕緣層，其形成在所述柵極金屬層與所述半導體層之間；

源極金屬層，其形成在所述半導體層上，并包含與所述半導體層電連接的源極電極及所述漏極電極；以及

接觸層，其包含形成在所述半導體層與所述源極電極之間的源極接觸部、和形成在所述半導體層與所述漏極電極之間的漏極接觸部，

所述源極金屬層具有包含下部源極金屬層和上部源極金屬層的層疊結構，其中，所述下部源極金屬層含有從由Ti、Ta及W組成的組中選擇的至少一種元素，所述上部源極金屬層形成在所述下部源極金屬層上，并含有Cu或Al，

從所述電介質(zhì)基板的法線方向觀察時，所述下部源極金屬層的邊緣位于比所述上部源極金屬層的邊緣靠內(nèi)側(cè)的位置，

所述源極金屬層的側(cè)面為倒錐形，

從所述電介質(zhì)基板的法線方向觀察時，至少所述多個天線單位區(qū)域的所述下部源極金屬層的邊緣及所述上部源極金屬層的邊緣中的不與所述源極接觸部或所述漏極接觸部重疊的部分由至少兩個無機層覆蓋。

2.根據(jù)權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，

從所述電介質(zhì)基板的法線方向觀察時，所述多個天線單位區(qū)域的所述下部源極金屬層的邊緣及所述上部源極金屬層的邊緣由所述至少兩個無機層覆蓋。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的TFT基板，其特征在于，

所述半導體層位于所述柵極電極上，

所述TFT基板還具有：

層間絕緣層，其覆蓋所述TFT；和

上部導電層，其形成在所述層間絕緣層上，

所述至少兩個無機層包含所述層間絕緣層和所述上部導電層。

4.根據(jù)權利要求3所述的TFT基板，其特征在于，

所述源極金屬層還包含所述貼片電極。

5.根據(jù)權利要求3所述的TFT基板，其特征在于，

所述上部導電層包含透明導電層。

6.根據(jù)權利要求3所述的TFT基板，其特征在于，

所述上部導電層包含第一層和第二層，其中，所述第一層包含透明導電層，所述第二層形成于所述第一層之下，并由從由Ti層、MoNb層、MoNbNi層、MoW層、W層及Ta層組成的組中選擇的至少一個層形成。

7.根據(jù)權利要求3所述的TFT基板，其特征在于，

還具有配置在所述多個天線單位區(qū)域以外的區(qū)域的端子部，

所述端子部具有：

下部連接部，其包含于所述柵極金屬層；

接觸孔，其形成于所述柵極絕緣層及所述層間絕緣層，并到達所述下部連接部；

上部連接部，其包含于所述上部導電層，并在所述接觸孔內(nèi)與所述下部連接部連接。

8.根據(jù)權利要求3所述的TFT基板，其特征在于，

所述上部導電層形成為，從所述電介質(zhì)基板的法線方向觀察時，至少覆蓋所述多個天線單位區(qū)域的所述下部源極金屬層的邊緣及所述上部源極金屬層的邊緣中的不與所述源極接觸部或所述漏極接觸部重疊的部分。

9.根據(jù)權利要求3所述的TFT基板，其特征在于，

所述上部導電層形成為，從所述電介質(zhì)基板的法線方向觀察時，覆蓋所述多個天線單位區(qū)域的所述下部源極金屬層的邊緣及所述上部源極金屬層的邊緣。

10.根據(jù)權利要求3所述的TFT基板，其特征在于，

所述上部導電層形成為，從所述電介質(zhì)基板的法線方向觀察時，覆蓋所述多個天線單位區(qū)域的所述下部源極金屬層及所述上部源極金屬層。