[發明專利]發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管

有效

• 申請號: 201910080000.X
• 申請日: 2019-01-28
• 公開（公告）號: CN109920890B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 曹陽;喬楠;郭炳磊;呂蒙普;胡加輝;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括：襯底、以及依次層疊于所述襯底上的氮化鎵緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型摻雜氮化鎵層、N型鋁鎵氮層、多量子阱層、P型復合層、P型摻雜氮化鎵層和P型接觸層；其特征在于，所述P型復合層包括：

位于所述多量子阱層上的高溫氮化鋁子層，位于所述高溫氮化鋁子層上的鋁鎵氮子層，以及位于所述鋁鎵氮子層上的含銦的氮化物子層，所述P型摻雜氮化鎵層位于所述含銦的氮化物子層上，所述P型復合層中的三個子層均為P型摻雜層，摻雜濃度均在2×10¹⁷～2×10¹⁸cm^-3之間，所述高溫氮化鋁子層的生長溫度為980℃，所述鋁鎵氮子層和所述含銦的氮化物子層的生長溫度均為920℃，所述高溫氮化鋁子層的厚度為300nm，所述鋁鎵氮子層和所述含銦的氮化物子層的厚度為80nm。

2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述高溫氮化鋁子層、所述鋁鎵氮子層和所述含銦的氮化物子層的生長壓力范圍均為200Torr-300Torr。

3.一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底上依次生長氮化鎵緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型摻雜氮化鎵層、N型鋁鎵氮層和多量子阱層；

在所述多量子阱層上依次生長高溫氮化鋁子層、鋁鎵氮子層和含銦的氮化物子層，形成P型復合層，所述P型復合層中的三個子層均為P型摻雜層，摻雜濃度均在2×10¹⁷～2×10¹⁸cm^-3之間，所述高溫氮化鋁子層的生長溫度為980℃，所述鋁鎵氮子層和所述含銦的氮化物子層的生長溫度均為920℃，所述高溫氮化鋁子層的厚度為300nm，所述鋁鎵氮子層和所述含銦的氮化物子層的厚度為80nm；

在所述P型復合層的含銦的氮化物子層上依次生長P型摻雜氮化鎵層和P型接觸層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述多量子阱層上依次生長高溫氮化鋁子層、鋁鎵氮子層和含銦的氮化物子層，包括：

在生長壓力范圍為200Torr-300Torr的條件下，生長所述高溫氮化鋁子層、所述鋁鎵氮子層和所述含銦的氮化物子層。

5.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括如權利要求1或2所述的發光二極管外延片。