[發(fā)明專利]薄膜上芯片封裝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910078846.X | 申請(qǐng)日： | 2019-01-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110600442B | 公開（公告）日： | 2022-09-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 廖駿宇;游騰瑞;林直慶 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 聯(lián)詠科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/367 | 分類號(hào)： | H01L23/367;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 芯片 封裝 | ||
1.一種薄膜上芯片封裝，其特征在于，包括：
柔性薄膜，包括第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；
圖案化電路層，設(shè)置在所述第一表面上；
芯片，安裝在所述第一表面上且電連接到所述圖案化電路層，所述芯片包括與所述圖案化電路層電絕緣的一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)凸塊；
虛設(shè)金屬層，覆蓋所述第二表面并用以排散所述芯片的熱量，其中所述虛設(shè)金屬層與所述圖案化電路層電絕緣；以及
額外虛設(shè)金屬層，設(shè)置在所述第一表面上，其中所述一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)凸塊連接到所述額外虛設(shè)金屬層，其中：
所述柔性薄膜還包括結(jié)合區(qū)，所述結(jié)合區(qū)遠(yuǎn)離所述芯片且被配置成結(jié)合到襯底，所述結(jié)合區(qū)包括電連接到所述圖案化電路層的多個(gè)信號(hào)焊墊以及電連接到所述虛設(shè)金屬層的多個(gè)虛設(shè)焊墊，且所述芯片與所述襯底不重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜上芯片封裝，所述虛設(shè)金屬層具有浮動(dòng)電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜上芯片封裝，所述虛設(shè)金屬層連接到參考電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜上芯片封裝，所述參考電壓是接地電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜上芯片封裝，所述芯片還包括一個(gè)或多個(gè)信號(hào)凸塊，所述一個(gè)或多個(gè)信號(hào)凸塊電連接到所述圖案化電路層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜上芯片封裝，所述柔性薄膜還包括電連接所述虛設(shè)金屬層與所述虛設(shè)凸塊的一個(gè)或多個(gè)通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜上芯片封裝，還包括阻焊層，所述阻焊層設(shè)置在所述圖案化電路層上且暴露出所述圖案化電路層的安裝有所述芯片的部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜上芯片封裝，所述虛設(shè)金屬層是具有非圖案化結(jié)構(gòu)的連續(xù)金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜上芯片封裝，所述虛設(shè)金屬層是圖案化金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜上芯片封裝，所述虛設(shè)金屬層與所述信號(hào)焊墊電絕緣。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜上芯片封裝，所述襯底包括玻璃襯底或印刷電路板。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜上芯片封裝，所述柔性薄膜還包括電連接所述虛設(shè)金屬層與所述虛設(shè)焊墊的一個(gè)或多個(gè)通孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜上芯片封裝，所述虛設(shè)金屬層具有比所述芯片的面積大的面積。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜上芯片封裝，所述虛設(shè)金屬層的材料包含銅。
15.一種薄膜上芯片封裝，其特征在于，包括：
柔性薄膜，包括第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；
第一圖案化電路層，設(shè)置在所述第一表面上；
第二圖案化電路層，設(shè)置在所述第二表面上；
芯片，安裝在所述第一表面上且電連接到所述第一圖案化電路層，所述芯片包括與所述第一圖案化電路層電絕緣的一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)凸塊；
虛設(shè)金屬層，覆蓋所述第二表面并用以排散所述芯片的熱量；以及
額外虛設(shè)金屬層，設(shè)置在所述第一表面上，其中所述一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)凸塊連接到所述額外虛設(shè)金屬層，其中：
所述柔性薄膜還包括結(jié)合區(qū)，所述結(jié)合區(qū)遠(yuǎn)離所述芯片且被配置成結(jié)合到襯底，所述結(jié)合區(qū)包括電連接到所述第一圖案化電路層的多個(gè)信號(hào)焊墊以及電連接到所述虛設(shè)金屬層的多個(gè)虛設(shè)焊墊，且所述芯片與所述襯底不重疊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜上芯片封裝，所述第二圖案化電路層電耦合到所述第一圖案化電路層與所述芯片中的任一者或兩者。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于聯(lián)詠科技股份有限公司，未經(jīng)聯(lián)詠科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910078846.X/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
