[發(fā)明專利]基板處理裝置及基板處理系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910074196.1 | 申請日: | 2019-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN110223933B | 公開(公告)日: | 2023-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 辻起久;福本靖博;芝康裕 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫林集團(tuán) |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 陳甜甜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 系統(tǒng) | ||
1.一種基板處理裝置,其對基板進(jìn)行熱處理,所述裝置包含以下的要素:
熱處理板,載置基板,并對基板進(jìn)行加熱;
升降銷,用來傳送基板;
升降銷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),使所述升降銷相對于所述熱處理板的上表面升降;
殼體,覆蓋所述熱處理板的周圍,形成基于熱處理板的熱處理環(huán)境;以及
冷卻基底板,將所述熱處理板配置在上部,抑制所述熱處理板的熱向下方傳遞;且
所述升降銷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)配置在所述冷卻基底板的下方;且
所述殼體具備供基板搬入搬出的搬入搬出口,并且還具備:
快門主體,使所述搬入搬出口開閉;以及
快門主體驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),驅(qū)動(dòng)所述快門主體;且
所述快門主體驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)配置在所述冷卻基底板的下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中所述升降銷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)是以與所述冷卻基底板之間進(jìn)行熱傳遞的狀態(tài)安裝在所述冷卻基底板的下表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中所述快門主體驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)是以與所述冷卻基底板之間進(jìn)行熱傳遞的狀態(tài)安裝在所述冷卻基底板的下表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中所述冷卻基底板供冷媒流通的冷媒流路遍及整體而形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中所述冷卻基底板供冷媒流通的冷媒流路遍及整體而形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其中所述冷卻基底板供冷媒流通的冷媒流路遍及整體而形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置,其中所述冷卻基底板供冷媒流通的冷媒流路遍及整體而形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其還具備多根支柱,所述多根支柱配置在所述熱處理板的下表面與所述冷卻基底板的上表面之間,
所述熱處理板通過所述多根支柱安裝在所述冷卻基底板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其還具備多根支柱,所述多根支柱配置在所述熱處理板的下表面與所述冷卻基底板的上表面之間,
所述熱處理板通過所述多根支柱安裝在所述冷卻基底板。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其還具備多根支柱,所述多根支柱配置在所述熱處理板的下表面與所述冷卻基底板的上表面之間,
所述熱處理板通過所述多根支柱安裝在所述冷卻基底板。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置,其還具備多根支柱,所述多根支柱配置在所述熱處理板的下表面與所述冷卻基底板的上表面之間,
所述熱處理板通過所述多根支柱安裝在所述冷卻基底板。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理裝置,其還具備多根支柱,所述多根支柱配置在所述熱處理板的下表面與所述冷卻基底板的上表面之間,
所述熱處理板通過所述多根支柱安裝在所述冷卻基底板。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其還具備多根支柱,所述多根支柱配置在所述熱處理板的下表面與所述冷卻基底板的上表面之間,
所述熱處理板通過所述多根支柱安裝在所述冷卻基底板。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置,其還具備多根支柱,所述多根支柱配置在所述熱處理板的下表面與所述冷卻基底板的上表面之間,
所述熱處理板通過所述多根支柱安裝在所述冷卻基底板。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置,其還具備多根支柱,所述多根支柱配置在所述熱處理板的下表面與所述冷卻基底板的上表面之間,
所述熱處理板通過所述多根支柱安裝在所述冷卻基底板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





