[發(fā)明專利]一種超低功耗中低溫實(shí)心微熱平臺(tái)及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910073967.5
• 申請(qǐng)日: 2019-01-25
• 公開（公告）號(hào): CN109775655A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉琦;丁桂甫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海交通大學(xué)
• 主分類號(hào): B81B7/02
• 分類號(hào): B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種超低功耗中低溫實(shí)心微熱平臺(tái)，包括：

襯底；

絕熱層，所述絕熱層設(shè)置在所述襯底上；

加熱結(jié)構(gòu)，所述加熱結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述絕熱層上，并通過所述絕熱層實(shí)現(xiàn)與所述襯底的熱隔離和電絕緣；以及

導(dǎo)熱層，所述導(dǎo)熱層設(shè)置成覆蓋所述加熱結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的超低功耗中低溫實(shí)心微熱平臺(tái)，其特征在于，所述襯底材料為玻璃、陶瓷或有機(jī)基板。

3.如權(quán)利要求1所述的超低功耗中低溫實(shí)心微熱平臺(tái)，其特征在于，所述絕熱層設(shè)置在所述加熱結(jié)構(gòu)的底部和側(cè)方。

4.如權(quán)利要求1所述的超低功耗中低溫實(shí)心微熱平臺(tái)，其特征在于，所述絕熱層的材料是導(dǎo)熱率小于0.12W/(m*K)的絕緣材料；

所述絕熱層的材料是有機(jī)膠體，其中摻雜低熱導(dǎo)率無(wú)機(jī)納米顆粒或晶須；或者

所述絕熱層的材料為摻雜2wt％至10wt％納米二氧化硅的聚酰亞胺，厚度為30微米至100微米。

5.如權(quán)利要求1所述的超低功耗中低溫實(shí)心微熱平臺(tái)，其特征在于，所述加熱結(jié)構(gòu)為加熱絲或加熱薄膜。

6.如權(quán)利要求5所述的超低功耗中低溫實(shí)心微熱平臺(tái)，其特征在于，所述加熱結(jié)構(gòu)為線寬5-15微米、厚度100-300納米的鉑加熱絲。

7.如權(quán)利要求1所述的超低功耗中低溫實(shí)心微熱平臺(tái)，其特征在于，所述導(dǎo)熱層的材料是導(dǎo)熱率大于1.5W/(m*K)的絕緣材料；

所述導(dǎo)熱層的材料是有機(jī)膠體摻雜高熱導(dǎo)率無(wú)機(jī)納米顆粒或晶須；或者

所述導(dǎo)熱層的材料為摻雜2wt％至10wt％納米碳化硅晶須的聚酰亞胺，厚度為4微米至10微米。

8.如權(quán)利要求1所述的超低功耗中低溫實(shí)心微熱平臺(tái)，其特征在于，所述導(dǎo)熱層具有圖形化結(jié)構(gòu)，使所述導(dǎo)熱層覆蓋所述加熱結(jié)構(gòu)的面積減小，從而降低散熱。

9.一種超低功耗中低溫實(shí)心微熱平臺(tái)的制造方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成絕熱層；

在所述絕熱層上形成加熱結(jié)構(gòu)；以及

形成覆蓋所述加熱結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱層。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，還包括：

形成加熱結(jié)構(gòu)的電極對(duì)露頭；和/或

形成導(dǎo)熱層的圖形化結(jié)構(gòu)，使所述導(dǎo)熱層覆蓋加熱結(jié)構(gòu)的面積減小，從而降低散熱。