[發明專利]控制等離子體處理裝置的方法和等離子體處理裝置有效
| 申請號： | 201910073186.6 | 申請日： | 2019-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN110085502B | 公開（公告）日： | 2021-09-03 |
| 發明（設計）人： | 辻本宏;戶花敏勝 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 控制 等離子體 處理 裝置 方法 | ||
1.一種控制等離子體處理裝置的方法，其能夠控制將直流電壓施加到等離子體處理裝置的電極，該方法的特征在于，包括：
在腔室的內部空間中生成氣體的等離子體的步驟；
在所述等離子體的生成期間，增加由直流電源施加到構成所述腔室的一部分或者設置于所述內部空間中的所述電極的負極性的直流電壓的絕對值的步驟；
確定第一電壓值的步驟，其中該第一電壓值是執行使負極性的直流電壓的絕對值增加的所述步驟的期間電流開始流過所述電極的時刻的所述電極的電壓值；和
在所述等離子體的生成期間，將由所述直流電源施加到所述電極的所述直流電壓的電壓值設定為第二電壓值的步驟，其中所述第二電壓值具有所述第一電壓值與指定值之和的值。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：
所述電極是在所述內部空間中包圍基片地配置的聚焦環。
3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：
所述等離子體處理裝置是電容耦合式的等離子體處理裝置，其包括：
具有下部電極的支承臺，其構成為能夠在所述內部空間中支承基片；和
所述腔室，其包括設置于所述支承臺的上方的上部電極，
被施加所述直流電壓的所述電極是所述上部電極。
4.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：
腔室；
高頻電源，其產生用于激勵被供給到腔室的內部空間的氣體的高頻；
直流電源，其與構成所述腔室的一部分或者設置于所述內部空間中的電極電連接；
第一測量器，其構成為能夠測量所述電極中的電流；
第二測量器，其構成為能夠測量所述電極中的電壓；和
控制部，其構成為能夠控制由所述直流電源施加到所述電極的負極性的直流電壓，
所述控制部在所述內部空間中等離子體的生成期間控制所述直流電源，以增加施加到所述電極的負極性的直流電壓的絕對值，在所述直流電壓的所述絕對值的增加期間，根據由所述第一測量器獲取的測量值來確定電流開始流過所述電極的時刻，使用所述第二測量器來確定該時刻所述電極中的第一電壓值，
在所述等離子體的生成期間控制所述直流電源，以將施加到所述電極的所述直流電壓的電壓值設定為第二電壓值，其中所述第二電壓值具有所述第一電壓值與指定值之和的值。
5.如權利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述電極是在所述內部空間中包圍基片地配置的聚焦環。
6.如權利要求4或5所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述等離子體處理裝置是電容耦合式的等離子體處理裝置，其包括：
具有下部電極的支承臺，其構成為能夠在所述內部空間中支承基片；和
所述腔室，其包括設置于所述支承臺的上方的上部電極，
被施加所述直流電壓的所述電極是所述上部電極。
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