[發明專利]高量程加速度傳感器陶瓷硅陶瓷三層無引線封裝結構

有效

• 申請號: 201910072513.6
• 申請日: 2019-01-25
• 公開（公告）號: CN109813931B
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 石云波;劉俊;唐軍;曹慧亮;焦靜靜;郭濤;高晉陽;李杰;張曉明;馬宗敏;趙永祺;趙思晗;許鑫;李飛;王彥林;張英杰;米振國;張婕;劉玉
• 申請（專利權）人: 中北大學
• 主分類號: G01P15/00
• 分類號: G01P15/00
• 代理公司: 太原科衛專利事務所(普通合伙) 14100
• 代理人: 朱源;楊文艷

1.一種高量程加速度傳感器陶瓷硅陶瓷三層無引線封裝結構，其特征在于，包括底層熟瓷片（5）、敏感結構（4）、第三層熟瓷片（1）、第二層熟瓷片（2）、第一層熟瓷片（3），所述底層熟瓷片（5）底面刷有釬焊漿料（9），底層熟瓷片（5）頂面采用陽極鍵合技術與敏感結構（4）的背面鍵合；所述敏感結構（4）的正面也通過陽極鍵合技術與三層熟瓷片鍵合，所述三層熟瓷片分別為自下而上排列的第一層熟瓷片（3）、第二層熟瓷片（2）和第三層熟瓷片（1）、其中第一層熟瓷片（3）與敏感結構（4）接觸；所述敏感結構（4）包括敏感結構框架（11）和位于敏感結構框架（11）中心處的質量塊（13）；所述第一層熟瓷片（3）為與敏感結構框架（11）大小一致的框架結構且開設有與敏感結構（4）的PAD點大小、位置一致的通孔（10），同時第一層熟瓷片（3）和敏感結構（4）的接觸面刻有與敏感結構（4）表面濺射的導線相同大小的導線凹槽（12），所述第二層熟瓷片（2）與第一層熟瓷片（3）相對應的位置處也開設有通孔（10）且不與第一層熟瓷片（3）相接觸的一面印刷有轉接電路（8），所述第三層熟瓷片（1）在第二層熟瓷片（2）轉接電路（8）結束處相應位置開有第二通孔（6），所述第三層熟瓷片（1）不與第二層熟瓷片（2）接觸的一面印刷有釬焊漿料形成與電線焊接的焊盤（7），第一層熟瓷片（3）、第二層熟瓷片（2）的通孔（10）和第三層熟瓷片（1）第二通孔（6）間采用漿料填孔實現敏感結構（4）與轉接電路（8）的電路連接。

2.根據權利要求1所述的高量程加速度傳感器陶瓷硅陶瓷三層無引線封裝結構，其特征在于，所述第二層熟瓷片（2）與第一層熟瓷片（3）上的通孔（10）通過激光打孔開設，所述第三層熟瓷片（1）的第二通孔（6）也通過激光打孔開設。

3.根據權利要求1所述的高量程加速度傳感器陶瓷硅陶瓷三層無引線封裝結構，其特征在于，所述底層熟瓷片（5）、第三層熟瓷片（1）、第二層熟瓷片（2）和第一層熟瓷片（3）均為低溫共燒陶瓷，且均還有NA⁺。