[發明專利]一種MicroLED的巨量轉移和色彩變換的方法有效
| 申請號： | 201910072285.2 | 申請日： | 2019-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN109920885B | 公開（公告）日： | 2020-09-04 |
| 發明（設計）人： | 徐從康;顧而丹;王江涌 | 申請（專利權）人： | 汕頭大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/67;H05K13/04 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 曹江;周增元 |
| 地址： | 515000 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 microled 巨量 轉移 色彩 變換 方法 | ||
1.一種MicroLED的巨量轉移和色彩變換的方法，其特征在于，主要包括以下步驟：
步驟1、在含磊晶層的藍寶石襯底LED晶圓上通過光刻蝕或ICP刻蝕分別制作陣列化圖形的基于GaN的綠光倒裝芯片、藍光倒裝芯片；對制作的綠光倒裝芯片、藍光倒裝芯片分別在真空爐中做退火處理；
步驟2、用激光分解綠光倒裝芯片和藍光倒裝芯片上的GaN緩沖層，從而將藍寶石剝離掉；
步驟3、將陣列化圖形的綠光倒裝芯片和藍光倒裝芯片分別一次性平移到驅動基板上，綠光倒裝芯片和藍光倒裝芯片按規律穿插排列；用ICP刻蝕掉薄膜，分開相互連接的芯片；
步驟4、通過SMT倒裝回流焊接芯片到驅動基板上；
步驟5、涂布量子點到目標芯片的上端表面通過藍光或綠光激發出紅光，所述量子點包括CdSe、CdTe、ZnS、 ZnSe、碳量子點、CuInZnS和CuInGaS；所述量子點尺寸為2-8納米；
所述綠光倒裝芯片為一陣列綠光倒裝芯片，所述藍光倒裝芯片為二陣列藍光倒裝芯片，所述目標芯片為二陣列藍光倒裝芯片中的一陣列；或者所述綠光倒裝芯片為二陣列綠光倒裝芯片，所述藍光倒裝芯片為一陣列藍光倒裝芯片，所述目標芯片為二陣列綠光倒裝芯片中的一陣列。
2.根據權利要求1所述MicroLED的巨量轉移和色彩變換的方法，其特征在于，所述綠光倒裝芯片和藍光倒裝芯片的尺寸為4-10微米。
3.根據權利要求1所述MicroLED的巨量轉移和色彩變換的方法，其特征在于，步驟1中所述退火處理的溫度為400-600oC。
4.根據權利要求1所述MicroLED的巨量轉移和色彩變換的方法，其特征在于，步驟4中所述驅動基板為TFT或CMOS。
5.根據權利要求1所述MicroLED的巨量轉移和色彩變換的方法，其特征在于，步驟4中焊接所用材料為Au/Sn。
6.根據權利要求1-5任一項所述MicroLED的巨量轉移和色彩變換的方法得到的MicroLED。
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