[發明專利]功率半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201910068469.1
• 申請日: 2019-01-24
• 公開（公告）號: CN109830440A
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 李述洲;李豪;高良;萬欣
• 申請（專利權）人: 重慶平偉實業股份有限公司;嘉興奧羅拉電子科技有限公司;浙江清華長三角研究院
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/285;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 尹麗云

1.一種功率半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一硅襯底，所述硅襯底包括第一表面；

于所述硅襯底內形成與所述第一表面齊平的體區；

于所述體區內形成與所述第一表面齊平的源區；

于所述硅襯底上形成氮離子摻雜區，所述源區和體區先于在所述氮離子摻雜區形成；

氧化所述氮離子摻雜區，以形成位于所述第一表面上的氮氧化硅層；

于所述氮氧化硅層上形成柵氧化層。

2.根據權利要求1所述的功率半導體器件的制造方法，其特征在于：

所述硅襯底還包括與所述第一表面相對的第二表面，所述制造方法還包括于所述第二表面上形成漏區。

3.根據權利要求1所述的功率半導體器件的制造方法，其特征在于：

形成所述氮離子摻雜區的方法包括：

于所述硅襯底上形成具有開口的圖形化掩膜層；

采用離子注入法向所述開口內注入氮離子。

4.根據權利要求3所述的功率半導體器件的制造方法，其特征在于：

所述掩膜層的材料包括光刻膠。

5.根據權利要求3所述的功率半導體器件的制造方法，其特征在于：氮離子注入的初始能量范圍包括20keV～200keV，注入劑量范圍包括1E14～1E15atom/cm²。

6.根據權利要求3所述的功率半導體器件的制造方法，其特征在于：注入氮離子時，離子束流方向與所述硅襯底表面的夾角范圍包括83°～90°。

7.根據權利要求1所述的功率半導體器件的制造方法，其特征在于：氧化所述氮離子摻雜區時，氧化溫度范圍包括1000℃～1200℃，氧化時間范圍包括30s～120s。

8.根據權利要求1所述的功率半導體器件的制造方法，其特征在于：形成所述柵氧化層的方法包括化學氣相淀積法。

9.一種功率半導體器件，其特征在于，包括：

硅襯底，其包括第一表面；

所述硅襯底內形成有與第一表面齊平的體區，

所述體區內形成有與第一表面齊平的源區，

氮氧化硅層，其形成于所述硅襯底上；

柵氧化層，其形成于所述氮氧化硅層上。

10.根據權利要求9所述的功率半導體器件，其特征在于：

所述硅襯底上設置有與所述第一表面相對的第二表面，所述第二表面上形成有設置有漏區。