[發明專利]一種Yb和Er共摻雜的氧化鎵薄膜及其制備方法在審
| 申請號： | 201910063284.1 | 申請日： | 2019-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN109852381A | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發明（設計）人： | 谷雪 | 申請（專利權）人： | 北京鎵族科技有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/62 | 分類號： | C09K11/62;C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京清誠知識產權代理有限公司 11691 | 代理人： | 喬東峰;瞿朝兵 |
| 地址： | 101300 北京市順義區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化鎵 薄膜 共摻雜 襯底 制備 激光脈沖沉積法 稀土離子摻雜 致密 工藝可控性 近紅外發光 薄膜表面 厚度穩定 近紅外光 濃度調控 疊置 復性 均一 發光 生長 | ||
1.一種Yb和Er共摻雜的氧化鎵薄膜，包括依次疊置的襯底和氧化鎵薄膜，其特征在于：所述氧化鎵薄膜為Yb和Er共摻雜的β-Ga2O3薄膜，所述襯底為Al2O3襯底。
2.如權利要求1所述的Yb和Er共摻雜的氧化鎵薄膜，其特征在于：所述Al2O3襯底是(0001)取向的。
3.如權利要求1所述的Yb和Er共摻雜的氧化鎵薄膜，其特征在于：所述氧化鎵薄膜的厚度為100nm至300nm。
4.如權利要求1所述的Yb和Er共摻雜的氧化鎵薄膜，其特征在于：所述Yb的摻雜濃度為2.5％，所述Er的摻雜濃度為0.5％。
5.一種Yb和Er共摻雜的氧化鎵薄膜的制造方法，包括：
在襯底上，采用激光脈沖沉積法生長氧化鎵薄膜；
其特征在于：
所述氧化鎵薄膜為Yb和Er共摻雜的β-Ga2O3薄膜，所述襯底為Al2O3襯底。
6.如權利要求5所述的氧化鎵薄膜的制造方法，其特征在于：所述激光脈沖沉積法采用的靶材為Yb和Er的氧化鎵陶瓷。
7.如權利要求5所述的氧化鎵薄膜的制造方法，其特征在于：所述激光脈沖沉積法的生長參數包括：脈沖激光能量為1J/cm2～5J/cm2。
8.如權利要求7所述的Yb和Er共摻雜的氧化鎵薄膜的制造方法，其特征在于：所述激光脈沖沉積法的生長參數還包括：脈沖激光頻率為1Hz～5Hz。
9.如權利要求8所述的Yb和Er共摻雜的氧化鎵薄膜的制造方法，其特征在于：所述激光脈沖沉積法的生長參數還包括：襯底溫度為600℃～850℃。
10.如權利要求9所述的Yb和Er共摻雜的氧化鎵薄膜的制造方法，其特征在于：所述激光脈沖沉積法的生長參數還包括：生長氣壓為1×10-3Pa～1Pa。
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