[發明專利]一種固溶體納米線及其制備方法和用途

有效

• 申請號: 201910062837.1
• 申請日: 2019-01-23
• 公開（公告）號: CN109706434B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 薩德·阿拉·簡;郭北斗;宮建茹
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;C23C16/02;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種固溶體納米線的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)在襯底上覆蓋催化劑，并對覆蓋催化劑的襯底進行退火，得到退火襯底；

(2)將InP和ZnSe的混合物置于一端封口一端開口的石英管的一側，將步驟(1)所述退火襯底置于所述石英管的另一側，將所述石英管置于反應爐中，抽真空后通入保護性氣體，在加熱條件下進行化學氣相沉積反應，得到所述固溶體納米線；其中，所述化學氣相沉積反應時，InP和ZnSe的混合物的溫度高于退火襯底的溫度；

所述固溶體納米線為InP-ZnSe固溶體納米線。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述固溶體納米線的平均直徑為50-400nm。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述固溶體納米線的長度為1-6μm。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述固溶體納米線中，InP的摩爾百分含量為0-100％且不包括0和100％。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述固溶體納米線中，InP的摩爾百分含量為50-66.7％。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述襯底包括硅片。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述硅片在覆蓋催化劑前先進行預處理。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述預處理的方法包括分別用丙酮、異丙醇和無水乙醇作為溶劑對硅片進行超聲清洗，并用氮氣吹干。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述催化劑為金。

10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述覆蓋催化劑的方法包括：用離子濺射的方法在襯底上覆蓋催化劑。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述離子濺射的電流大小為8-10mA。

12.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述離子濺射的時間為60-120s。

13.根據權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述離子濺射的時間為90s。

14.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述離子濺射用離子濺射儀進行。

15.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述退火的方法包括：抽真空后通入保護性氣體，加熱進行退火，得到所述退火襯底。

16.根據權利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述抽真空將反應系統的壓力降低至≤1Pa。

17.根據權利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述保護性氣體包括氮氣和/或氬氣。

18.根據權利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述保護性氣體的流量為40-60sccm。

19.根據權利要求18所述的制備方法，其特征在于，所述保護性氣體的流量為50sccm。

20.根據權利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述加熱進行退火的溫度為420-480℃。

21.根據權利要求20所述的制備方法，其特征在于，所述加熱進行退火的溫度為450℃。