[發明專利]開關電源控制芯片及其自適應線網電壓補償電路

在審

• 申請號: 201910060226.3
• 申請日: 2019-01-22
• 公開（公告）號: CN109617421A
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 陽玉才;胡淵
• 申請（專利權）人: 深圳市富滿電子集團股份有限公司
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335
• 代理公司: 北京酷愛智慧知識產權代理有限公司 11514
• 代理人: 鄒成嬌

1.一種開關電源控制芯片，其特征在于，

包括第一部分電路和負反饋電路；第一部分電路的輸出端通過所述負反饋電路接第一部分電路的輸入端。

2.根據權利要求1所述開關電源控制芯片，其特征在于，

所述第一部分電路包括供電基準單元、邏輯控制狀態機、驅動單元、谷底檢測單元和峰值檢測單元；

所述邏輯控制狀態機的輸出端接所述驅動單元的輸入端，驅動單元的第一輸出端接所述谷底檢測單元的輸入端，谷底檢測單元的輸出端接所述邏輯控制狀態機的第一輸入端；驅動單元的第一輸出端接場效應管M₀的柵極，場效應管M₀的源極通過電阻R₁接所述峰值檢測單元的輸入端；峰值檢測單元的輸出端接所述邏輯控制狀態機的第二輸入端；

所述場效應管M₀的源極作為所述第一部分電路的第一輸出端，驅動單元的第二輸出端作為所述第一部分電路的第二輸出端；

場效應管M₀的漏極作為開關電源控制芯片的D端口，場效應管M₀的源極作為開關電源控制芯片的CS端口，供電基準單元提供開關電源控制芯片的HV端口。

3.根據權利要求2所述開關電源控制芯片，其特征在于，

所述負反饋電路包括采樣保持單元和gm單元；所述gm單元包括放大器；

所述第一部分電路的第一輸出端接采樣保持單元的第一輸入端，第一部分電路的第二輸出端接采樣保持單元的第二輸入端，采樣保持單元的輸出端接所述放大器的正向輸入端，放大器的負向輸入端接基準電壓，放大器的輸出端接所述電阻R₁與峰值檢測單元的輸入端的中間節點。

4.根據權利要求3所述開關電源控制芯片，其特征在于，

所述采樣保持單元包括場效應管M₁和電容C_SH；

場效應管M₁的漏極為所述采樣保持單元的第一輸入端，場效應管M₁的柵極為所述采樣保持單元的第二輸入端，場效應管M₁的源極通過電容C_SH1接地；場效應管M₁的源極為所述采樣保持單元的輸出端。

5.根據權利要求4所述開關電源控制芯片，其特征在于，

所述場效應管M₁為NMOS管。

6.根據權利要求3所述開關電源控制芯片，其特征在于，

所述gm單元包括場效應管PM0、場效應管PM1、場效應管NM0、場效應管NM1、場效應管SNM2和場效應管NM3；

所述場效應管PM0的柵極為所述放大器的正向輸入端，場效應管PM0的源極接場效應管PM1的源極，場效應管PM1的柵極為所述放大器的負向輸入端；場效應管PM0的漏極接場效應管NM0的漏極，場效應管PM1的漏極接場效應管NM1的漏極，場效應管NM0的柵極接場效應管NM1的柵極，場效應管NM0的柵極接場效應管NM0的漏極；場效應管NM0的源極和場效應管NM1的源極接地；場效應管PM1的漏極和場效應管NM1的漏極之間的節點接場效應管SNM2的源極，場效應管SNM2的漏極接場效應管NM3的柵極，場效應管NM3的源極通過電阻R1輸出，場效應管SNM2的漏極與場效應管NM3的柵極之間的公共節點通過電容C_SH2接地。

7.根據權利要求6所述開關電源控制芯片，其特征在于，

所述場效應管PM0和場效應管PM1為PMOS管；

所述場效應管NM0、場效應管NM1、場效應管SNM2和場效應管NM3為NMOS管。

8.一種自適應線網電壓補償電路，其特征在于，

包括采樣電阻R_cs、隔離電路和權利要求2-7中任一權利要求所述的開關電源控制芯片；所述開關電源控制芯片的CS端口通過所述采樣電阻R_cs接線網，所述隔離電路接開關電源控制芯片的的D端口；所述開關電源控制芯片的HV端口接線網。

9.根據權利要求8所述自適應線網電壓補償電路，其特征在于，所述隔離電路包括電流互感器L₀、二極管D₀和電容C_L；

開關電源控制芯片的D端口接電流互感器L₀中初級的同名端，電流互感器L₀中初級的異名端接線網，電流互感器L₀中次級的同名端接所述二極管D₀的正極，二極管D₀的負極通過所述電容C_L接電流互感器L₀中次級的異名端，二極管D₀的負極與電流互感器L₀中次級的異名端共同形成輸出端Vout。