[發明專利]發射輻射的設備

有效

• 申請號: 201910057767.0
• 申請日: 2019-01-22
• 公開（公告）號: CN110071100B
• 公開（公告）日: 2023-09-29
• 發明（設計）人: 彼得·布里克;斯特凡·格勒奇;斯特凡·帕夫利克;邁克爾·維特曼;烏利·希勒
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H05B45/30;G05D25/02;H01L25/075;H01L33/50;H05B45/20;H01L27/15
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;張春水

1.一種發射輻射的設備(1)，所述設備包括：

-像素化的光電子半導體芯片(2)，所述光電子半導體芯片設置用于發射具有第一峰值波長(λ1)的第一輻射(S1)并且具有多個彼此并排設置的半導體區域(20)，

-轉換元件(3)或色彩控制機構，所述轉換元件或色彩控制機構設置用于將所述第一輻射(S1)的至少一部分轉換成具有第二峰值波長(λ2)的第二輻射(S2)，和

-色彩控制元件(4)，所述色彩控制元件具有用于吸收所述第一輻射(S1)和/或第二輻射(S2)的一部分的半導體二極管，其中

在第一運行狀態(I)下將反向電壓(U_R)施加到所述半導體二極管處，并且由所述設備發射第一色溫的輻射(S_I)，所述第一色溫的輻射絕大部分由所述第一輻射(S1)和第二輻射(S2)組成，并且在第二運行狀態(II)下將正向電壓(U_F)施加到所述半導體二極管處并且由所述設備(1)發射第二色溫的輻射(S_II)，所述第二色溫的輻射絕大部分由所述第一輻射(S1)和第二輻射(S2)和通過所吸收的所述第一輻射(S1)和/或第二輻射(S2)在所述半導體二極管中發射的、具有第三峰值波長(λ3)的第三輻射組成。

2.根據權利要求1所述的發射輻射的設備(1)，

其中所述正向電壓(U_F)小于所述半導體二極管的閾值電壓。

3.根據權利要求1或2所述的發射輻射的設備(1)，

其中所述設備具有濾波元件，其中所述濾波元件設置在所述色彩控制元件(4)和所述轉換元件(3)或色彩控制機構之間，并且設置用于反射所述第三輻射。

4.根據權利要求1或2所述的發射輻射的設備(1)，

其中所述第三峰值波長(λ3)大于所述第一峰值波長(λ1)和第二峰值波長(λ2)。

5.根據權利要求1或2所述的發射輻射的設備(1)，

其中所述第二峰值波長(λ2)大于所述第一峰值波長(λ1)。

6.根據權利要求1或2所述的發射輻射的設備(1)，

其中所述光電子半導體芯片(2)的所述半導體區域(20)能夠單獨地操控，由此所述光電子半導體芯片(2)適合于像素細化地發射輻射。

7.根據權利要求1或2所述的發射輻射的設備(1)，

其中所述色彩控制元件(4)不具有對應于像素化的所述光電子半導體芯片(2)的像素結構，并且薄地構成為，使得不發生橫向的輻射傳播。

8.根據權利要求1或2所述的發射輻射的設備(1)，

其中所述色彩控制元件(4)具有最高30μm的厚度。

9.根據權利要求1或2所述的發射輻射的設備(1)，

其中所述轉換元件(3)或色彩控制機構不具有對應于像素化的所述光電子半導體芯片(2)的像素結構，并且薄地構成為，使得不發生橫向的輻射傳播。

10.根據權利要求1或2所述的發射輻射的設備(1)，

其中所述轉換元件(3)或色彩控制機構設置在所述光電子半導體芯片(2)上，并且所述色彩控制元件(4)設置在所述轉換元件(3)或色彩控制機構的背離所述光電子半導體芯片(2)的一側上。

11.根據權利要求1或2所述的發射輻射的設備(1)，

其中所述色彩控制元件(4)具有吸收輻射的區域和透射輻射的區域，其中所述第一輻射(S1)和/或第二輻射(S2)的吸收在所述吸收輻射的區域中比在所述透射輻射的區域中更大。

12.根據權利要求11所述的發射輻射的設備(1)，

其中所述透射輻射的區域通過所述色彩控制元件(4)中的加深部形成。