[發明專利]一種利用Nb摻雜增強Ga2O3薄膜光催化降解有機污染物的方法在審
| 申請號： | 201910052102.0 | 申請日： | 2019-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN109554679A | 公開（公告）日： | 2019-04-02 |
| 發明（設計）人： | 鄧金祥;張浩;段蘋;李瑞東;徐智洋;孫俊杰 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;C02F1/30;C02F101/30 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 劉萍 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 催化降解有機污染物 有機污染物 摻雜 薄膜光 半導體材料 磁控濺射法 光催化降解 薄膜降解 石英基片 摻雜的 摻雜劑 沉積 薄膜 | ||
【權利要求書】：
1.Nb摻雜增強Ga2O3薄膜的制備方法，其特征在于：
(1)采用石英片作為Ga2O3薄膜生長的基片，對石英基片進行超聲清洗；
(2)采用射頻磁控濺射設備雙靶共濺射法在石英基片上沉積一層Nb摻雜的Ga2O3薄膜材料；
(3)采用管式爐對Ga2O3薄膜材料進行退火處理。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：
(4)將制備的Nb摻雜Ga2O3薄膜應用于有機污染物降解；
(1)以石英片作為Ga2O3薄膜生長的基片，超聲清洗后用氮氣氣槍吹干備用；
(2)采用射頻磁控濺射設備雙靶共濺射法在石英基片上沉積一層Nb摻雜的Ga2O3薄膜材料；系統預真空度為5×10-4Pa；薄膜的生長氣氛為Ar，工作氣壓為1.0Pa；Ga2O3靶材的濺射功率為80W，Nb2O5靶材的濺射功率為10-30W，濺射時間為180min；
(3)采用管式爐對Nb摻雜Ga2O3薄膜材料進行退火處理；退火溫度為800℃；恒溫時間120分鐘；N2作為保護氣體后，開始升溫，整個退火過程持續通氣。
3.采用如權利要求1或2所述的方法所制備的附著Nb摻雜Ga2O3薄膜的石英片催化降解有機污染物。
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