[發明專利]一種高度擇優取向的鈮酸鉀鈉薄膜的制備方法在審
| 申請號: | 201910043148.6 | 申請日: | 2019-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN109650443A | 公開(公告)日: | 2019-04-19 |
| 發明(設計)人: | 張偉;朱海勇;吳浩;張雪花;胡芳仁 | 申請(專利權)人: | 南京郵電大學 |
| 主分類號: | C01G33/00 | 分類號: | C01G33/00 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 吳飛 |
| 地址: | 210023 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 制備 前驅體溶液 檸檬酸鈮 擇優取向 鈮酸鉀鈉 過濾 退火 檸檬酸 絡合反應 鈉鹽粉末 退火處理 預熱處理 草酸銨 硅襯底 堿性PH 結晶性 凝膠法 氫氟酸 穩定劑 氧化鈮 乙二醇 鉀鹽 襯底 稱取 醇鹽 滴加 硅基 晶向 均一 上旋 旋涂 洗滌 溶解 澄清 重復 改進 | ||
本發明公開一種高度擇優取向的鈮酸鉀鈉薄膜的制備方法,該方法步驟為:稱取氧化鈮溶解于氫氟酸得到NbF5溶液,隨后加入草酸銨作為穩定劑,最后滴加堿性PH調試劑,得到白色沉淀Nb(OH)5;對白色沉淀進行洗滌過濾,加入檸檬酸使其于發生絡合反應得到檸檬酸鈮,隨后再對檸檬酸鈮進行進一步過濾;加入鉀鹽和鈉鹽粉末,再加入一定量的乙二醇,最后將溶液靜置得到均一澄清的KNN前驅體溶液;然后在經過預熱處理的硅基底上旋涂前驅體溶液并進行退火處理,重復多次旋涂退火得到理想的KNN薄膜。本發明通過改進溶膠?凝膠法的非醇鹽法和對硅襯底的處理,在普通(100)Si襯底上制備結晶性良好的KNN薄膜,且得到的KNN薄膜是在(001)晶向高度擇優。
技術領域
本發明涉及一種高度擇優取向的鈮酸鉀鈉薄膜的制備方法,屬于壓電材料技術領域。
背景技術
壓電材料是一種重要的功能材料,它具有的功能特性在電子技術、傳感器、能量儲存和驅動器等方面得到廣泛的應用。隨著MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)的研究發展,在壓電功能器件的小型化和微型化和高集成等方面提出了要求。相比較于塊體壓電材料,壓電薄膜在加工方便、調節度高、質量輕、驅動電壓低和可平面集成化的方面的優點,更能滿足MEMS對壓電功能材料的要求。
制取KNN系薄膜的方法主要有四種,濺射法、溶膠凝膠法、化學氣相沉積法和脈沖激光沉積法,相對于其他方法,溶膠凝膠法:要求設備簡單,成本低,可制備大面積薄膜。溶膠凝膠法制備KNN系薄膜按原料來區分又細分為金屬醇鹽法和非醇鹽法。金屬醇鹽法制取KNN系薄膜的材料乙醇鈮相對價格昂貴,制約了量產的需求。非醇鹽法制備材料價格便宜,能大大降低材料的成本。然而,一般非醇鹽法制取的薄膜材料晶體多為多晶,且KNN薄膜與硅襯底粘附性差,需要對硅襯底進行鍍SiO2層,制備成本高。
發明內容
發明目的:針對現有非醇鹽法制備KNN系薄膜存在的晶體為多晶、KNN薄膜與硅襯底粘附性差等問題,本發明提供一種高度擇優取向的鈮酸鉀鈉薄膜的制備方法。
技術方案:本發明所述的一種高度擇優取向的鈮酸鉀鈉薄膜的制備方法,包括如下步驟:
(1)稱取氧化鈮溶解于氫氟酸得到NbF5溶液,向NbF5溶液中先加入草酸銨,待其溶解后滴加堿性PH調試劑,得到白色沉淀Nb(OH)5,用去離子水洗滌Nb(OH)5沉淀并過濾;
(2)將過濾后的Nb(OH)5與檸檬酸混合并加入去離子水,并攪拌至澄清;
(3)對步驟(2)所得澄清溶液進行過濾,獲得澄清的過濾溶液;
(4)向步驟(3)所得過濾溶液中先加入鉀鹽和鈉鹽,待其溶解后調節PH值,加入乙二醇,靜置、得到澄清透明的鈮酸鉀鈉前驅體溶液;
(5)對硅片基底進行預熱處理,然后在預熱后的硅基底上旋涂所述鈮酸鉀鈉前驅體溶液,得到表面覆有濕膜的硅片,放入真空干燥箱中保溫,然后退火處理,得到鈮酸鉀鈉薄膜。
上述步驟(1)中,優選的,將氧化鈮加入氫氟酸中,在60~90℃水浴條件下加熱7~12h使其溶解,然后加入草酸銨,繼續在水浴條件下加熱直至草酸銨溶解。最好在80℃水浴條件下先加熱攪拌10h使氧化鈮溶解在氫氟酸中,然后繼續在80℃水浴條件下加熱攪拌1h、使草酸銨溶解。其中,氧化鈮與氫氟酸的用量最好滿足如下比例:每5mL的氫氟酸中溶解1g氧化鈮。
進一步的,步驟(1)中,滴加氨水調節溶液PH值為9,得到白色沉淀Nb(OH)5,將所得白色沉淀Nb(OH)5在60℃陳化0.5~2h。洗滌時,一般可用去離子水洗滌Nb(OH)5沉淀2~4次并過濾。
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