[發明專利]含有三維縱向存儲陣列的處理器在審
| 申請號: | 201910029530.1 | 申請日: | 2019-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN111326191A | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | 張國飆 | 申請(專利權)人: | 杭州海存信息技術有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/04 | 分類號: | G11C16/04;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 310051*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 含有 三維 縱向 存儲 陣列 處理器 | ||
1.一種實現一非算術函數函數的三維處理器(100),其特征在于含有:
一半導體襯底(0);
多個計算單元(100aa,…100mn),每個所述計算單元(100ij)含有至少一三維縱向存儲(3D-MV)陣列(170)和一算術邏輯電路(ALC)(180),所述3D-MV陣列(170)存儲所述非算術函數的至少部分查找表(LUT),所述ALC (180)對所述LUT的至少部分數據進行算術運算;
所述ALC (180)位于所述半導體襯底(0)中,所述3D-MV陣列(170)堆疊在所述ALC (180)之上并與所述ALC (180)通過多個芯片內連接(160)電耦合。
2.一種實現一組合函數的三維處理器(100),其特征在于含有:
一半導體襯底(0);
第一三維縱向存儲(3D-MV)陣列(170Q或170S)和第二3D-MV陣列(170R或170T),所述第一3D-MV陣列(170Q或170S)存儲第一非算術函數的至少部分第一查找表(LUT),所述第二3D-MV陣列(170R或170T)存儲第二非算術函數的至少部分第二LUT;
一算術邏輯電路(ALC)(180),所述ALC (180)對所述第一LUT或第二LUT的至少部分數據進行算術運算;
所述ALC (180)位于所述半導體襯底(0)中,所述第一和第二3D-MV陣列(170Q, 170R或170S, 170T) 堆疊在所述ALC (180)之上并與所述ALC (180)通過多個芯片內連接(160)電耦合;
所述組合函數是所述第一和第二非算術函數的一種組合。
3.根據權利要求2所述的三維處理器(100),其特征還在于:所述第一LUT包括該非算術函數的函數值,所述第二LUT包括該非算術函數的導數值。
4.根據權利要求2所述的三維處理器(100),其特征還在于:所述組合函數是所述第一和第二非算術函數的復合函數。
5.根據權利要求1-4所述的三維處理器(100),其特征還在于:所述非算術函數、所述第一非算術函數、所述第二非算術函數包含的運算多于所述ALC (180)支持的算術運算。
6.根據權利要求1-4所述的三維處理器(100),其特征還在于:所述非算術函數、所述第一非算術函數、所述第二非算術函數不能表達為所述ALC (180)支持的算術運算的一種組合。
7.一種實現一非算術模型三維處理器(100),其特征在于含有:
一半導體襯底(0);
多個計算單元(100aa,…100mn),每個所述計算單元(100ij)含有至少一三維縱向存儲(3D-MV)陣列(170)和一算術邏輯電路(ALC)(180),所述3D-MV陣列(170)存儲所述非算術模型的至少部分查找表(LUT),所述ALC (180)對所述LUT的至少部分數據進行算術運算;
所述ALC (180)位于所述半導體襯底(0)中,所述3D-MV陣列(170)堆疊在所述ALC (180)之上并與所述ALC (180)通過多個芯片內連接(160)電耦合。
8.根據權利要求7所述的三維處理器(100),其特征還在于:所述非算術模型包含的運算多于所述ALC (180)支持的算術運算。
9.根據權利要求7所述的三維處理器(100),其特征還在于:所述非算術模型不能表達為所述ALC (180)支持的算術運算的一種組合。
10.根據權利要求7所述的三維處理器(100),其特征還在于:所述非算術模型包括原始測量數據、和/或平滑后的測量數據。
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