[發(fā)明專利]一種檢測鋁蝕刻液中硝酸含量的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910022341.1
• 申請日: 2019-01-10
• 公開（公告）號: CN109406433A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔣萌;曾以亞;簡重光
• 申請（專利權(quán)）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: G01N21/31
• 分類號: G01N21/31
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 高星

本申請?zhí)峁┝艘环N檢測鋁蝕刻液中硝酸含量的方法，包括：配置不同濃度的硝酸標(biāo)準(zhǔn)溶液；在特征波長下，采用紫外可見分光光度計測試不同濃度的硝酸標(biāo)準(zhǔn)溶液的吸光度，繪制濃度?吸光度的標(biāo)準(zhǔn)曲線，擬合得到硝酸根離子的濃度?吸光度的線性公式，其中，特征波長為對硝酸根離子有紫外吸收的波長；將待測鋁蝕刻液稀釋處理后獲得待測樣品，在與硝酸標(biāo)準(zhǔn)溶液相同的檢測條件下，采用紫外可見分光光度計測試所述待測樣品的吸光度，將測得的吸光度值代入所述線性公式中，計算待測樣品的硝酸根離子濃度；根據(jù)待測樣品的稀釋倍數(shù)，計算待測鋁蝕刻液中的硝酸根離子濃度，根據(jù)待測鋁蝕刻液中的硝酸根離子濃度計算待測刻蝕液中硝酸的含量。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請屬于分析化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種檢測鋁蝕刻液中硝酸含量的方法。

背景技術(shù)

濕法腐蝕，也叫濕蝕刻，是通過目標(biāo)材料(一般為金屬導(dǎo)電膜)與蝕刻液之間的化學(xué)反應(yīng)，對目標(biāo)材料進行蝕刻的過程。在TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，薄膜晶體管液晶顯示器)工藝中，主要對Gate(柵極)層，Drain(漏極，通常采用Cr作為導(dǎo)電材料)層及像素層(ITO)進行蝕刻。柵極通常采用鋁、鉬常作為導(dǎo)電材料，為了形成圖案化Gate層，可以選用鋁蝕刻液對Gate層的金屬進行溶解和氧化還原，以達到Gate層圖形化的目的。鋁蝕刻液是一種強酸混合物，其成分為硝酸(約1.90％)、磷酸(約71.5％)、醋酸(約10.0％)。硝酸將Al氧化成Al₂O₃，反應(yīng)方程式為2Al+6HNO₃→Al₂O₃+3H₂O+6NO₂；磷酸將Al₂O₃溶解，反應(yīng)方程式為Al₂O₃+2H₃PO₄→2AlPO₃+3H₂O；醋酸可以使硝酸的氧化過程變慢，以控制反應(yīng)速度。鋁蝕刻液中各酸的含量不同，蝕刻速率和蝕刻形狀的形成也不一樣，因此，刻蝕前需要對蝕刻液中各酸的含量進行檢測。

目前工業(yè)中常使用電位滴定儀來測量混酸中各酸的含量。電位滴定儀測量混酸中各酸的含量，其原理為：使用已知濃度的NaOH溶液滴定混酸，記錄滴定終點消耗的NaOH溶液的體積，計算出H⁺的含量。由于各酸在不同介質(zhì)溶液中電離產(chǎn)生H⁺的能力不一樣，會出現(xiàn)不同的滴定終點，根據(jù)不同各滴定終點計算出的H⁺含量推算出對應(yīng)酸的含量。由于在水中HNO₃電離常數(shù)與H₃PO₄一級電離常數(shù)相近，需要通過不同溶劑增大兩者電離常數(shù)的差異。即便如此，電位滴定儀測量鋁蝕刻液中各酸的含量的技術(shù)無法完全克服硝酸電離和磷酸一級電離的相互干擾，并且用到多種溶劑體系，增加了滴定結(jié)果的不確定度。因此，急需開發(fā)一種能夠相對獨立測試各酸含量的方法。

申請內(nèi)容

本申請的目的在于提供一種檢測鋁蝕刻液中硝酸含量的方法，旨在解決電位滴定儀測量鋁蝕刻液中各酸含量時，無法完全克服硝酸電離和磷酸一級電離的相互干擾，并且用到多種溶劑體系，增加了滴定結(jié)果的不確定度的問題。

為實現(xiàn)上述申請目的，本申請采用的技術(shù)方案如下：

一種檢測鋁蝕刻液中硝酸含量的方法，采用紫外可見分光光度法檢測鋁蝕刻液中硝酸含量，包括以下步驟：

配置不同濃度的硝酸標(biāo)準(zhǔn)溶液；

在特征波長下，采用紫外可見分光光度計測試不同濃度的所述硝酸標(biāo)準(zhǔn)溶液的吸光度，繪制濃度-吸光度的標(biāo)準(zhǔn)曲線，擬合得到硝酸根離子的濃度-吸光度的線性公式，其中，所述特征波長為對硝酸根離子有紫外吸收的波長；