[發(fā)明專利]具有硬掩模的基板載體

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910017054.1
• 申請日: 2019-01-08
• 公開（公告）號: CN110021543A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發(fā)明（設計）人: 亞歷山大·勒納;基姆·韋洛爾;阿米·薩德;史蒂文·桑索尼;安德魯·康斯坦特;凱文·莫雷斯;羅伊·夏維夫;尼蘭詹·庫馬爾;杰夫瑞·布羅丁;米迦勒·卡拉齊
• 申請（專利權(quán)）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本文公開具有硬掩模的基板載體設備。在一些實施方式中，基板載體設備包括：載體主體，具有支撐基板的支撐表面；和掩模組件，設置在所述支撐表面上方。所述掩模組件包括：環(huán)形框架，設置在所述支撐表面頂上；和硬掩模，在所述支撐表面上方耦接到所述環(huán)形框架并設置在所述環(huán)形框架內(nèi)，其中所述硬掩模包括以預定圖案布置并穿過所述硬掩模設置的一個或多個開口，并且其中所述硬掩模包括多個間隔件元件，所述多個間隔件元件從所述硬掩模的底表面延伸。

技術(shù)領域

本公開內(nèi)容的實施方式總體涉及基板處理系統(tǒng)，并且更特別地涉及一種具有硬掩模的基板載體。

背景技術(shù)

掩模(例如，硬掩模)通常用于半導體處理以在基板上選擇性沉積材料。掩模將具有穿過掩模形成的預定開口圖案，以允許材料僅在對應于開口的位置處沉積在掩模下方的基板上。然而，此類掩模的放置和移除通常在大氣中進行。本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在使用掩模處理基板之后，已沉積在掩模上的材料經(jīng)常在離開處理腔室或群集工具的真空環(huán)境時形成顆粒。

因此，本發(fā)明人在本文中提供了一種具有硬掩模的改進的基板載體。

發(fā)明內(nèi)容

本文公開具有硬掩模的基板載體設備。在一些實施方式中，基板載體設備包括：載體主體，具有支撐基板的支撐表面；和掩模組件，設置在所述支撐表面上方。所述掩模組件包括：環(huán)形框架，設置在所述支撐表面頂上；和硬掩模，在所述支撐表面上方耦接到所述環(huán)形框架并設置在所述環(huán)形框架內(nèi)，其中所述硬掩模包括以預定圖案布置并穿過所述硬掩模設置的一個或多個開口，并且其中所述硬掩模包括多個間隔件元件，所述多個間隔件元件從所述硬掩模的底表面延伸。

在一些實施方式中，基板載體設備包括：載體主體，具有支撐基板的支撐表面；和掩模組件，設置在所述支撐表面上方。所述掩模組件包括：環(huán)形框架，設置在所述支撐表面頂上；硬掩模，在所述支撐表面上方耦接到所述環(huán)形框架并設置在所述環(huán)形框架內(nèi)，其中所述硬掩模包括以預定圖案布置并穿過所述硬掩模設置的一個或多個開口，并且其中所述硬掩模包括多個間隔件元件，所述多個間隔件元件從所述硬掩模的底表面延伸，以在所述基板設置在所述支撐表面頂上時，在所述硬掩模與所述基板之間保持在約20μm與約50μm之間的預定間隙；和撓曲元件，耦接到所述環(huán)形框架并被構(gòu)造為補償基板厚度變化。

在下文描述了本公開內(nèi)容的其它和進一步實施方式。

附圖說明

可參考附圖中描繪的本公開內(nèi)容的說明性實施方式來理解在上面簡要地概述且在下面更詳細論述的本公開內(nèi)容的實施方式。然而，附圖僅示出了本公開內(nèi)容的典型實施方式，并且因此不應視為限制本公開內(nèi)容的范圍，因為本公開內(nèi)容可允許其它等效實施方式。

圖1描繪了根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式的基板載體設備的示意性俯視圖。

圖2描繪了根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式的沿著圖1中的線2-2’截取的基板載體設備的截面圖。

圖3描繪了根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式的基板載體設備的截面圖。

圖4描繪了根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式的用于與載體設備一起使用的載體主體的示意性截面圖。

為了促進理解，已經(jīng)盡可能地使用相同的標號標示各圖共有的相同要素。各圖未按比例繪制，并且可為了清楚而被簡化。一個實施方式的要素和特征可有益地并入于其它實施方式中，而無需另外詳述。

具體實施方式