[發明專利]一種鉆石線切割半導體硅片的工藝

在審

• 申請號: 201910015468.0
• 申請日: 2019-01-08
• 公開（公告）號: CN109435085A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 常雪巖;韓木迪;蘇曉劍;謝艷;劉琦;武衛
• 申請（專利權）人: 天津中環領先材料技術有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B24B27/06
• 代理公司: 天津濱?？凭曋R產權代理有限公司 12211
• 代理人: 王曉英

1.一種鉆石線切割半導體硅片的工藝，采用鉆石線設備對半導體硅片進行切割，其特征在于：在切割過程中，工作臺下降速度為1.5-2.5mm/min，鉆石線切割線速為1100-1400m/min，冷卻液流量調節為80-100L/min，冷卻液溫度為23-28℃，鋼線單片供線量為0.4-1.5m/片。

2.根據權利要求1所述的鉆石線切割半導體硅片的工藝，其特征在于：鉆石線設備為NTC PV系列。

3.根據權利要求1所述的鉆石線切割半導體硅片的工藝，其特征在于：半導體硅片的翹曲度小于30μm。

4.根據權利要求1所述的鉆石線切割半導體硅片的工藝，其特征在于：鉆石線線拱小于5mm。

5.根據權利要求1至4任意一項所述的鉆石線切割半導體硅片的工藝，其特征在于：包括以下步驟：

(1)將半導體用硅單晶用無水乙醇將表面擦拭干凈，并將單晶粘到樹脂板上，然后再將樹脂板粘在料座上，并在室溫條件下固化5-24小時；

(2)將固化完畢粘有單晶的料座裝到多線切割機上，準備進行工藝參數調節；

(3)將工作臺下降速度調節為中心點下降速度1.5-2.5mm/min，保證鉆石線線拱小于5mm；

(4)將鉆石線切割入刀線速調節為1100-1400m/min，保證入刀切割過程中不會發生彎曲異常；

(5)將出刀冷卻液流量調節為80-100L/min，保證出刀時不會因為流量沖擊造成異常裂片；

(6)將冷卻液溫度調節為23-28℃；

(7)將鋼線單片供線量調節為0.4-1.5m/片，保證切割后的硅片整體幾何參數無異常；

(8)工藝調節完畢，開始運行多線切割機進行單晶切割過程。

6.根據權利要求5所述的鉆石線切割半導體硅片的工藝，其特征在于：所述工作臺下降速度為1.53mm/min，鉆石線切割線速為1200m/min，冷卻液流量調節為95L/min，冷卻液溫度為24℃，鋼線單片供線量為0.63m/片。

7.根據權利要求5所述的鉆石線切割半導體硅片的工藝，其特征在于：還包括在切割之后對硅片表面進行清潔處理的步驟。

8.根據權利要求7所述的鉆石線切割半導體硅片的工藝，其特征在于：切割之后對硅片表面進行清潔處理的方法包括以下步驟：

S1:切割完畢后，卸載料座，用純水將表面的硅粉冷卻液混合物沖洗干凈；

S2:將沖洗干凈的硅片進行去膠處理，去膠后的硅片放在清洗液中進行表面潔凈處理。

9.根據權利要求8所述的鉆石線切割半導體硅片的工藝，其特征在于：步驟S1中，用2兆歐的純水將表面的硅粉冷卻液混合物沖洗干凈；步驟S2中，將沖洗干凈的硅片放在釜川超聲波自動脫膠機上進行去膠，去膠完畢后的硅片放在堿性清洗液中進行表面潔凈處理。

10.根據權利要求8所述的鉆石線切割半導體硅片的工藝，其特征在于：堿性清洗液為氫氧化鈉和氫氧化鉀按質量比1:2的混合液。