[發(fā)明專利]一種高效率高密度低溫等離子體發(fā)生制備器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910015104.2 | 申請日: | 2019-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN109675415A | 公開(公告)日: | 2019-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 薛舒文 | 申請(專利權(quán))人: | 薛舒文 |
| 主分類號: | B01D53/32 | 分類號: | B01D53/32 |
| 代理公司: | 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 11399 | 代理人: | 朱健;張迪 |
| 地址: | 212000 江蘇省鎮(zhèn)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制備器 金屬構(gòu)件 等離子發(fā)生器 低溫等離子體 高效率 離子體 光子 等離子體 表面等離激元 等離子體發(fā)生 處理流體 反應(yīng)氣體 工業(yè)鉆石 節(jié)能高效 金屬器件 氣態(tài)介質(zhì) 腔室外部 輸送器件 通風(fēng)系統(tǒng) 依次設(shè)置 應(yīng)用場景 整體能耗 低能耗 多層腔 共振件 光反應(yīng) 進(jìn)氣端 排氣端 室結(jié)構(gòu) 附著 解耦 內(nèi)壁 放大 協(xié)同 改進(jìn) 合作 | ||
1.一種高效率高密度低溫等離子體發(fā)生制備器,其特征在于,所述離子體發(fā)生制備器為多層腔室結(jié)構(gòu),用于將氣態(tài)介質(zhì)生成等離子體,腔室外部設(shè)有等離子發(fā)生器,等離子發(fā)生器金屬器件作為表面等離激元共振件,待反應(yīng)氣體通過輸送器件輸送至離子體發(fā)生制備器內(nèi),離子體發(fā)生制備器內(nèi)由進(jìn)氣端到排氣端依次設(shè)置有與等離子發(fā)生器連接的光子放大金屬構(gòu)件、光子解耦金屬構(gòu)件和光反應(yīng)金屬構(gòu)件。
2.如權(quán)利要求1所述的高效率高密度低溫等離子體發(fā)生制備器,其特征在于,所述氣態(tài)介質(zhì)包括空氣或分子、生物分子、微生物及其任意組合。
3.如權(quán)利要求1所述的高效率高密度低溫等離子體發(fā)生制備器,其特征在于,所述等離子體包括受激分子、自由基、離子、自由電子光子及其任意組合。
4.如權(quán)利要求1所述的高效率高密度低溫等離子體發(fā)生制備器,其特征在于,在所述腔室內(nèi)部至少設(shè)有一個(gè)電極,在所述電極上施加有電壓或者高電壓。
5.如權(quán)利要求1所述的高效率高密度低溫等離子體發(fā)生制備器,其特征在于,所述光子放大金屬構(gòu)件為設(shè)有均勻且等距離穿孔的透射板柵和/或衍射光柵,在所述板柵的表面附著有工業(yè)鉆石涂層,或富勒烯涂層,或鎳涂層。
6.如權(quán)利要求5所述的高效率高密度低溫等離子體發(fā)生制備器,其特征在于,在所述金屬構(gòu)件的兩端設(shè)有絕緣構(gòu)件,所述腔室形成于金屬構(gòu)件與絕緣構(gòu)件之間以及由絕緣構(gòu)件制成的排氣腔室,在與氣態(tài)介質(zhì)流通方向垂直的金屬構(gòu)件與絕緣構(gòu)件上均布由若干個(gè)通氣孔,在金屬構(gòu)件上還設(shè)有若干根均勻分布的放電針。
7.如權(quán)利要求6所述的高效率高密度低溫等離子體發(fā)生制備器,其特征在于,在所述腔室內(nèi)部光子放大金屬構(gòu)件的中心設(shè)有圓筒結(jié)構(gòu)的網(wǎng)板,在所述網(wǎng)板的表面附著有工業(yè)鉆石涂層,或富勒烯涂層,或鎳涂層。
8.如權(quán)利要求7所述的高效率高密度低溫等離子體發(fā)生制備器,其特征在于,在所述圓筒結(jié)構(gòu)網(wǎng)板的表面均布有若干根徑向放電針。
9.如權(quán)利要求8所述的高效率高密度低溫等離子體發(fā)生制備器,其特征在于,在所述金屬構(gòu)件上加載有周期震蕩的電磁震蕩波。
10.如權(quán)利要求1所述的高效率高密度低溫等離子體發(fā)生制備器,其特征在于,所述金屬構(gòu)件與絕緣構(gòu)件之間通過絕緣連接件和螺釘相互連接。
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