[發(fā)明專利]晶體橫向生長設(shè)備及晶體橫向生長方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910003186.9
• 申請日: 2019-01-03
• 公開（公告）號: CN109487330A
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊建春
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫翌波晶體材料有限公司
• 主分類號: C30B11/02
• 分類號: C30B11/02;C30B29/16
• 代理公司: 蘇州廣正知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32234
• 代理人: 李猛

1.一種晶體橫向生長設(shè)備，其特征在于，包括：爐體、第一保溫層、第二保溫層、高溫區(qū)、發(fā)熱體、導(dǎo)車和坩堝，所述的爐體內(nèi)從上往下依次設(shè)置有第一保溫層和第二保溫層，所述的導(dǎo)車置于第一保溫層和第二保溫層之間，所述的第一保溫層底部的中間區(qū)域?yàn)楦邷貐^(qū)，高溫區(qū)的中心設(shè)置有發(fā)熱體，所述的第二保溫層頂部的中間區(qū)域?yàn)楦邷貐^(qū)，高溫區(qū)的中心設(shè)置有發(fā)熱體，所述的坩堝裝于導(dǎo)車中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體橫向生長設(shè)備，其特征在于，所述的第一保溫層為高溫耐火磚。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體橫向生長設(shè)備，其特征在于，所述的第二保溫層為高溫耐火磚。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體橫向生長設(shè)備，其特征在于，所述的發(fā)熱體為硅鉬棒或中頻加熱棒。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體橫向生長設(shè)備，其特征在于，所述的發(fā)熱體由溫控裝置控制。

6.一種晶體橫向生長方法，其特征在于，其采用權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的晶體橫向生長設(shè)備進(jìn)行晶體橫向生長，其生長方法包括以下步驟：

（1）將生長晶體所需的原料混合后填入坩堝中，然后將坩堝放入導(dǎo)車中，由導(dǎo)車將坩堝由低溫區(qū)移入高溫區(qū)；

（2）原料融化變成液體，達(dá)到最大的液化狀態(tài)，再慢慢移出高溫區(qū)，液體慢慢按所需的晶格進(jìn)行排列組合固化，生成晶體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體橫向生長方法，其特征在于，步驟（1）中生長晶體所需的原料為氧化鍺和氧化鉍的混合物，氧化鍺和氧化鉍的重量配比為1:3。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體橫向生長方法，其特征在于，高溫區(qū)的溫度為1200~1250℃，高溫區(qū)的長度大于等于1m。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體橫向生長方法，其特征在于，步驟（1）中導(dǎo)車移動(dòng)速度為0.8~1.2mm/h。