[發(fā)明專利]陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置

有效

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• 申請日: 2019-01-02
• 公開（公告）號: CN109727999B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設計）人: 吳忠厚;戴珂;江鵬;張春旭;張云天;鄧亞飛
• 申請（專利權）人: 合肥京東方顯示技術有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/60;H01L21/77;G02F1/1362
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置，屬于顯示技術領域。本發(fā)明的陣列基板的制備方法，所述陣列基板包括：形成抗靜電單元和像素單元的步驟；形成所述抗靜電單元的步驟包括：形成抗靜電晶體管；形成所述像素單元的步驟包括：形成充電晶體管；其中，所述抗靜電晶體管的有源層、源極和漏極，與所述充電晶體管的有源層、源極和漏極采用一次構圖工藝形成；在形成所述抗靜電晶體管的源極和漏極，與所述充電晶體管的源極和漏極的同時，還包括：在所述抗靜電晶體管的源極和漏極之間形成輔助電極塊的圖形。

技術領域

本發(fā)明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置。

背景技術

液晶面板在工作過程中隨時可能因外界的各種原因而引入靜電，一旦靜電在面板內積累無法釋放，則會對面板造成損傷，以至于顯示性能降低甚至損壞。因此，在顯示面板中設置抗靜電單元極其重要。

為了解決大尺寸產(chǎn)品負載大，充電困難的問題，在設計上采用了窄溝道半透掩模板，將顯示區(qū)充電三極管的尺寸盡可能的做小(溝道長度接近曝光精度)。而抗靜電單元因為其功能需要，溝道長度仍舊是常規(guī)的設計(曝光精度的2～10倍左右)。在光學上，當曝光狹縫的大小接近曝光精度時，會造成曝光量的損失。因此顯示區(qū)的曝光量小于抗靜電單元區(qū)的曝光量，在曝光、顯影、剝離之后，顯示區(qū)的充電三極管溝道和抗靜電單元區(qū)的抗靜電三極管溝道處留下的光刻膠厚度存在差異。這樣一來，在一次刻蝕過程中將會造成抗靜電區(qū)中的抗靜電晶體管的溝道被刻穿，導致抗靜電晶體管失效。

發(fā)明內容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一，提供一種抗靜電晶體管失效的陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置。

解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板的制備方法，包括形成抗靜電單元和像素單元的步驟；形成所述抗靜電單元的步驟包括：形成抗靜電晶體管；形成所述像素單元的步驟包括：形成充電晶體管；其中，所述抗靜電晶體管的有源層、源極和漏極，與所述充電晶體管的有源層、源極和漏極采用一次構圖工藝形成；在形成所述抗靜電晶體管的源極和漏極，與所述充電晶體管的源極和漏極的同時，還包括：在所述抗靜電晶體管的源極和漏極之間形成輔助電極塊的圖形。

優(yōu)選的是，所述充電晶體管的有源層的溝道區(qū)包括U型溝道區(qū)；

在所述抗靜電晶體管源極和漏極之間形成有一個輔助電極塊，并限定出所述抗靜電晶體管的有源層的溝道區(qū)的第一部分和第二部分；其中，

所述U型溝道區(qū)的寬度、所述抗靜電晶體管的有源層的溝道區(qū)的第一部分和第二部分的寬度相同。

優(yōu)選的是，所述陣列基板的制備方法還包括：

采用一次構圖工藝形成包括抗靜電晶體管的柵極和充電晶體管的柵極的圖形。

優(yōu)選的是，所述抗靜電單元包括四個串接抗靜電晶體管；所述四個串接抗靜電晶體管分別為第一抗靜電晶體管、第二抗靜電晶體管、第三抗靜電晶體管、第四抗靜電晶體管；形成所述抗靜電單元的步驟包括：

在基底上，通過構圖工藝形成包括所述第一抗靜電晶體管、所述第二抗靜電晶體管、所述第三抗靜電晶體管、所述第四抗靜電晶體管的柵極的圖形；其中，所述第二抗靜電晶體管、所述第三抗靜電晶體管共柵極；

形成柵極絕緣層；

通過一次構圖工藝形成包括第一抗靜電晶體管、所述第二抗靜電晶體管、所述第三抗靜電晶體管、所述第四抗靜電晶體管的有源層、源極、漏極，以及位于各抗靜電晶體管的源極和漏極之間的所述輔助電極塊的圖形；其中，所述第一抗靜電晶體管的源極和所述第二抗靜電晶體管的源極為一體結構；所述第一抗靜電晶體管的漏極和所述第二抗靜電晶體管的漏極為一體結構；所述第三抗靜電晶體管的源極和所述第四抗靜電晶體管的源極為一體結構；所述第三抗靜電晶體管的漏極和所述第四抗靜電晶體管的漏極為一體結構；