[發明專利]漿料及研磨方法在審
| 申請號： | 201880097934.8 | 申請日： | 2018-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN112740366A | 公開（公告）日： | 2021-04-30 |
| 發明（設計）人： | 巖野友洋;松本貴彬;久木田友美;長谷川智康 | 申請（專利權）人： | 昭和電工材料株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 日本國東京都千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 漿料 研磨 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種漿料，其用于對包含碳的氧化硅進行研磨，
所述漿料含有磨粒及液態介質，
所述磨粒包含第1粒子及與該第1粒子接觸的第2粒子，
所述第2粒子的粒徑小于第1粒子的粒徑，
所述第1粒子含有鈰氧化物，
所述第2粒子含有鈰化合物。
2.根據權利要求1所述的漿料，其中，
在所述磨粒的含量為0.1質量％的情況下，以離心加速度5.8×104G對所述漿料進行離心分離5分鐘時，所獲得的液相中的對于波長380nm的光的吸光度超過0。
3.根據權利要求1或2所述的漿料，其中，
所述鈰化合物包含鈰氫氧化物。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的漿料，其中，
所述磨粒的含量為0.01～10質量％。
5.一種研磨方法，其包括使用權利要求1至4中任一項所述的漿料對被研磨面進行研磨的工序。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
