[發(fā)明專利]試樣處理設(shè)備以及裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880095660.9
• 申請日: 2018-09-27
• 公開（公告）號: CN112424610A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 長岡嘉浩;佐藤航;山本周平;中澤太朗;藤岡滿;奧野惠佳
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立高新技術(shù)
• 主分類號: G01N35/00
• 分類號: G01N35/00;B81B3/00;G01N37/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 吳秋明

1.一種試樣處理設(shè)備，其特征在于，具備：

試劑保存部；

處理部，具有在上表面?zhèn)纫后w流動的上表面流路和在下表面?zhèn)纫后w流動的下表面流路，所述上表面流路的兩端與不同的所述下表面流路連通；以及

彈性膜，將所述處理部的下表面?zhèn)让芊猓?/p>

所述試劑保存部包含在上部構(gòu)件與所述處理部的上表面?zhèn)戎g保存試劑的保存空間和在所述保存空間的周圍以及所述上表面流路的周圍將所述上部構(gòu)件和所述處理部的上表面?zhèn)冉雍系慕雍喜浚?/p>

所述接合部包含所述上表面流路與所述保存空間之間的至少一部分與其他部分相比接合強(qiáng)度弱的低強(qiáng)度接合部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的試樣處理設(shè)備，其特征在于，

所述上部構(gòu)件包含密封膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的試樣處理設(shè)備，其特征在于，

所述低強(qiáng)度接合部包含部分的非接合區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的試樣處理設(shè)備，其特征在于，

在所述上部構(gòu)件與所述處理部的上表面?zhèn)戎g具有保護(hù)所述保存空間的保護(hù)構(gòu)造。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的試樣處理設(shè)備，其特征在于，

所述試樣處理設(shè)備還具備將所述處理部的上表面?zhèn)让芊獾拿芊鈽?gòu)件，

所述保存空間形成在所述上部構(gòu)件與所述密封構(gòu)件之間，

所述接合部將所述上部構(gòu)件和所述密封構(gòu)件接合，

所述密封構(gòu)件在所述上表面流路的上部具備一部分被除去的除去部。

6.一種試樣處理設(shè)備，其特征在于，具備：

試劑保存部；

處理部，具有在上表面?zhèn)纫后w流動的上表面流路和在下表面?zhèn)纫后w流動的下表面流路，所述上表面流路的兩端與不同的所述下表面流路連通；以及

彈性膜，將所述處理部的下表面?zhèn)让芊猓?/p>

所述試劑保存部包含上部構(gòu)件、下部構(gòu)件、在兩個構(gòu)件之間保存試劑的保存空間、以及在所述保存空間的周圍將兩個構(gòu)件接合的接合部，

所述下部構(gòu)件在所述上表面流路的上部具備一部分被除去的除去部，

所述接合部包含所述除去部與所述保存空間之間的至少一部分與其他部分相比接合強(qiáng)度弱的低強(qiáng)度接合部。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的試樣處理設(shè)備，其特征在于，

所述低強(qiáng)度接合部包含部分的非接合區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的試樣處理設(shè)備，其特征在于，

在所述上部構(gòu)件與所述下部構(gòu)件之間具有保護(hù)所述保存空間的保護(hù)構(gòu)造。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的試樣處理設(shè)備，其特征在于，

具備將所述處理部的上表面?zhèn)让芊獾拿芊鈽?gòu)件，

在所述密封構(gòu)件中，與所述下部構(gòu)件的除去部對應(yīng)的位置被除去。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的試樣處理設(shè)備，其特征在于，

形成所述保存空間的所述上部構(gòu)件在上表面?zhèn)葹橥剐螤睿鱿虏繕?gòu)件在下表面?zhèn)葹橥剐螤睢?/p>

11.一種試樣處理裝置，其特征在于，具備：

試劑保存部；

處理部，具有在上表面?zhèn)纫后w流動的上表面流路和在下表面?zhèn)纫后w流動的下表面流路，所述上表面流路的兩端與不同的所述下表面流路連通；

驅(qū)動部，對空氣進(jìn)行控制；

彈性膜，配置在所述處理部與所述驅(qū)動部之間；以及

空氣壓力控制部，對所述彈性膜向所述處理部密接還是向所述驅(qū)動部密接進(jìn)行切換，

所述試劑保存部包含上部構(gòu)件、下部構(gòu)件、在兩個構(gòu)件之間保存試劑的保存空間、以及在所述保存空間的周圍將所述兩個構(gòu)件接合的接合部，

所述下部構(gòu)件的至少一部分與所述處理部的上表面?zhèn)冉雍希鱿虏繕?gòu)件在所述上表面流路的上部具備一部分被除去的除去部，

所述接合部包含所述除去部與所述保存空間之間的至少一部分與其他部分相比接合強(qiáng)度弱的低強(qiáng)度接合部。