[發明專利]發光裝置、其制造方法和包括該發光裝置的顯示裝置

在審

• 申請號: 201880095510.8
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN112470301A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 閔正泓;金大賢;任鉉德;趙顯敏;姜鍾赫;金東旭;林白鉉;林載翊
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳;張曉

一種發光裝置可以包括：基底；第一電極，設置在基底上；第二電極，與第一電極設置在同一平面上并且與第一電極間隔開預定距離；絕緣圖案，設置在第一電極與第二電極之間，并且與第一電極的一部分和第二電極的一部分疊置；至少一個發光元件，設置在絕緣圖案上，并且具有在縱向方向上的第一端和第二端；第一分隔壁和第二分隔壁，第一分隔壁設置在第一電極上，第二分隔壁設置在第二電極上；第一反射電極，設置在第一分隔壁上，并且電連接到第一電極；以及第二反射電極，設置在第二分隔壁上，并且電連接到第二電極。

技術領域

本公開的各種實施例涉及一種發光裝置、制造該發光裝置的方法和具有該發光裝置的顯示裝置。

背景技術

發光二極管(LED)即使在差的環境條件下也可以具有相對令人滿意的耐久性，并且可以在壽命和亮度方面具有優異的性能。

為了將LED應用于照明裝置、顯示裝置等，需要將LED電連接到電極，使得電源的電壓可以施加到LED。關于LED的應用目的、減小電極所需空間的方法或制造LED的方法，已經對LED與電極之間的布置關系進行了各種研究。

LED和電極的布置方案可以分為在電極上直接生長LED的方案和獨立生長LED然后將LED設置在電極上的方案。

在后一方案的情況下，在LED是納米級超小型二極管的情況下，尤其存在難以將LED設置在電極上的問題。

發明內容

技術問題

本公開的不同實施例涉及一種其中可以防止超小型發光二極管的對準缺陷并且可以增強超小型發光二極管的發光效率的發光裝置、制造該發光裝置的方法和具有該發光裝置的顯示裝置。

技術方案

根據本公開的方面，發光裝置可以包括：基底；第一電極和第二電極，第一電極設置在基底上，第二電極與第一電極齊平地設置并且與第一電極間隔開預定距離；絕緣圖案，設置在第一電極與第二電極之間，并且與第一電極的一部分和第二電極的一部分中的每個疊置；至少一個發光元件，設置在絕緣圖案上，并且包括在至少一個發光元件的縱向方向上的第一端和第二端；第一分隔壁和第二分隔壁，第一分隔壁設置在第一電極上，第二分隔壁設置在第二電極上；第一反射電極，設置在第一分隔壁上，并且與第一電極電連接；以及第二反射電極，設置在第二分隔壁上，并且與第二電極電連接。

在本公開的實施例中，在平面圖中，絕緣圖案可以具有比發光元件的長度大的寬度。

在本公開的實施例中，在平面圖中，第一分隔壁與第二分隔壁可以彼此間隔開預定距離，且絕緣圖案置于它們之間。

在本公開的實施例中，第一分隔壁和第二分隔壁中的每個的高度可以等于或大于發光元件的長度。

在本公開的實施例中，絕緣圖案的寬度可以比第一反射電極與第二反射電極之間的距離小并且比第一電極與第二電極之間的距離大。

在本公開的實施例中，第一反射電極和第二反射電極可以設置在同一平面上，并且彼此間隔開預定距離。

在本公開的實施例中，發光裝置還可以包括：第一接觸電極，設置在第一反射電極上，并且被構造為使發光元件的第一端與第一反射電極電連接；以及第二接觸電極，設置在第二反射電極上，并且被構造為使發光元件的第二端與第二反射電極電連接。

在本公開的實施例中，發光元件可以包括：第一導電半導體層，摻雜有第一導電摻雜劑；第二導電半導體層，摻雜有第二導電摻雜劑；以及活性層，設置在第一導電半導體層與第二導電半導體層之間。

在本公開的實施例中，發光元件可以包括發光二極管，發光二極管具有圓柱形或多邊形棱柱的形狀并且具有微米級或納米級尺寸。