[發明專利]形成具有亞微米級特征的大面積模具母版的晶圓拼接方法

在審

• 申請號: 201880094333.1
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN112272800A
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: Z.彭;S.沃;E.索伊奇
• 申請（專利權）人: 鐳亞股份有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張曉明

1.一種形成大面積納米壓印模具母版的方法，所述方法包括：

將多個子母版拼接片定位在剛性平面基板上，所述多個子母版拼接片中的每個子母版拼接片具有納米級圖案，并且代表所述大面積納米壓印模具母版的子部分；以及

將所述多個子母版拼接片粘附到所述剛性平面基板上，

其中，所述定位確定一對相鄰的子母版拼接片中的每個子母版拼接片上的所述納米級圖案的納米級特征之間的距離，所述距離具有微米級的定位公差。

2.根據權利要求1所述的形成大面積納米壓印模具母版的方法，其中，所述定位包括：使用對準銷和對準標記中的一個將所述子母版拼接片引導到所述剛性平面基板上的位置，所述微米級定位公差小于一百微米(100μm)。

3.根據權利要求1所述的形成大面積納米壓印模具母版的方法，其中，所述剛性平面基板包括多個表面凹槽，所述多個表面凹槽被配置成接收所述子母版拼接片，所述定位包括通過將所述子母版拼接片放置到在所述多個凹槽中的一個凹槽中，將所述子母版拼接片引導到所述剛性平面基板上的位置。

4.根據權利要求3所述的形成大面積納米壓印模具母版的方法，其中，所述凹槽被配置為將單個子母版拼接片保持在位置中，由所述定位提供的微米級定位公差小于一百微米(100μm)。

5.根據權利要求1所述的形成大面積納米壓印模具母版的方法，其中，所述定位包括在所述剛性平面基板上將相鄰的子母版拼接片互相鄰接，以及控制每個子母版拼接片的尺寸以提供所述微米級定位公差。

6.根據權利要求5所述的形成大面積納米壓印模具母版的方法，其中，控制所述子母版拼接片的所述尺寸，以提供小于十微米(10μm)的所述微米級定位公差。

7.根據權利要求1所述的形成大面積納米壓印模具母版的方法，其中，控制每個子母版拼接片的尺寸以在定位之后在相鄰的子母版拼接片之間產生亞微米間隙，所述方法還包括重新調整所述多個子母版拼接片中所述子母版拼接片的位置，以提供小于一微米(1μm)的所述微米級定位公差。

8.根據權利要求7所述的形成大面積納米壓印模具母版的方法，其中，所述剛性平面基板還包括凹槽、對準銷和對準標記中的一個或多個，所述凹槽、對準銷和對準標記用于促進所述子母版拼接片的位置的重新調整。

9.根據權利要求7所述的形成大面積納米壓印模具母版的方法，所述方法還包括填充所述亞微米間隙以提供所述大面積納米壓印模具母版的平滑拼接表面。

10.根據權利要求1所述的形成大面積納米壓印模具母版的方法，還包括：在所述大面積納米壓印模具母版上沉積一層金屬層，以形成所述大面積納米壓印模具母版的金屬片復印模，所述金屬片復印模用于在接收表面中壓印大面積納米壓印圖案。

11.一種大面積納米壓印模具母版，包括：

剛性平面基板；和

多個子母版拼接片，其被定位并粘附到所述剛性平面基板的表面，所述多個子母版拼接片中的子母版拼接片具有納米級圖案，并且被定位以在一對相鄰的子母版拼接片中的每個子母版拼接片上的所述納米級圖案的納米級特征之間提供微米級定位公差，

其中，所述多個子母版拼接片中的所述子母版拼接片代表所述大面積納米壓印模具母版的子部分。

12.根據權利要求11所述的大面積納米壓印模具母版，其中，在所述剛性平面基板中包括對準銷和對準標記中的一個或兩者，所述對準銷和對準標記被配置以作為所述剛性平面基板上的所述子母版拼接片的位置參考。

13.根據權利要求11所述的大面積納米壓印模具母版，其中，所述剛性平面基板包括在所述剛性平面基板表面中的表面凹槽，所述表面凹槽被配置為接收并定位所述多個子母版拼接片中的子母版拼接片。