[發(fā)明專(zhuān)利]一種倒裝芯片的封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880093928.5
• 申請(qǐng)日: 2018-05-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112166502B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳韋;李定;尹紅成;匡雄才
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/64
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/64;H01L23/498
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 陳斌

1.一種倒裝芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：基板、芯片、多個(gè)導(dǎo)電凸塊和第一金屬結(jié)構(gòu)，其中：

所述芯片的上表面通過(guò)所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊與所述基板的朝向所述芯片的表面形成電氣連接，所述上表面為包括芯片焊墊的表面；

所述第一金屬結(jié)構(gòu)包含多個(gè)第一金屬柱，所述多個(gè)第一金屬柱中的每個(gè)第一金屬柱置于所述基板和所述芯片之間，且每個(gè)第一金屬柱與所述基板以及所述芯片形成電氣連接，所述多個(gè)第一金屬柱圍繞第一有源功能電路排列，所述第一有源功能電路為所述芯片中具有電磁輻射能力和/或電磁接收能力的電路。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

填充層，所述填充層用于將所述第一有源功能電路輻射和/或接收的電磁波轉(zhuǎn)換為熱能。

3.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述填充層中包含電磁損耗粒子，所述電磁損耗粒子用于將所述第一有源功能電路輻射和/或接收的電磁波轉(zhuǎn)換為熱能。

4.如權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個(gè)第一金屬柱圍繞所述第一有源功能電路按照第一間距依次等間距排列。

5.如權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一間距小于所述第一有源功能電路輻射或接收的電磁波的波長(zhǎng)的十分之一。

6.如權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個(gè)第一金屬柱包圍所述第一有源功能電路。

7.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個(gè)第一金屬柱在磁場(chǎng)強(qiáng)度大于預(yù)設(shè)值的區(qū)域內(nèi)圍繞所述第一有源功能電路排列。

8.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

第二有源功能電路，所述第二有源功能電路為所述芯片中具有電磁輻射能力和/或電磁接收能力的電路。

9.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

第二金屬結(jié)構(gòu)，所述第二金屬結(jié)構(gòu)包含多個(gè)第二金屬柱，所述多個(gè)第二金屬柱中的每個(gè)第二金屬柱置于所述基板和所述芯片之間，且每個(gè)第二金屬柱與所述基板以及所述芯片形成電氣連接，所述多個(gè)第二金屬柱圍繞所述第二有源功能電路排列。

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的倒裝芯片的封裝結(jié)構(gòu)。