[發(fā)明專利]濺射靶以及濺射靶的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880093408.4
• 申請日: 2018-12-19
• 公開（公告）號: CN112119178B
• 公開（公告）日: 2023-04-04
• 發(fā)明（設計）人: 下宿彰
• 申請（專利權(quán)）人: JX金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;B22F1/12;C22C1/05;C22C19/07;C22C26/00;C22C38/00;C22C32/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種濺射靶，其特征在于，

具有Fe－Pt系合金相和非磁性相，

以原子數(shù)比率計含有1～50at％的C，在XRD測定中具有源自金剛石的衍射峰，在所述XRD測定中不具有源自石墨的衍射峰。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射靶，其特征在于，

Fe、Pt以及C以外的一種以上的添加元素的含量是0～20at％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濺射靶，其中，

在所述XRD測定中，在將金剛石(111)的峰強度設為Idia，將FePt(111)的峰強度設為Ifept時，峰強度比Idia/Ifept處于0.01～0.5的范圍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，

含有平均粒徑小于1μm的具有金剛石結(jié)構(gòu)的C粒子。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濺射靶，其中，

相對密度是80％以上。

6.一種濺射靶，其特征在于，

包括Co－Pt系合金相和非磁性相，

以原子數(shù)比率計含有1～50at％的C，在XRD測定中具有源自金剛石的衍射峰。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濺射靶，其特征在于，

在所述XRD測定中不具有源自石墨的衍射峰。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的濺射靶，其特征在于，

Co、Pt以及C以外的一種以上的添加元素的含量是0～15at％。

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的濺射靶，其中，

在所述XRD測定中，在將金剛石(111)的峰強度設為Idia，將Co₃Pt(111)的峰強度設為Icopt時，峰強度比Idia/Icopt處于0.1～1.0的范圍。

10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的濺射靶，其特征在于，

含有平均粒徑小于1μm的具有金剛石結(jié)構(gòu)的C粒子。

11.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的濺射靶，其中，

相對密度是80％以上。

12.一種濺射靶的制造方法，其是權(quán)利要求1所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，包括下述工序：

將含有10～45at％的Pt且剩余部分由Fe和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Fe－Pt系合金粉末與金剛石粉末混合，制作以原子數(shù)比率計含有1～50at％的C的混合粉末，在真空氣氛下或惰性氣體氣氛下以所述混合粉末中的金剛石不相變?yōu)槭臒Y(jié)溫度進行燒結(jié)，制作燒結(jié)體。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的濺射靶的制造方法，其中，

所述金剛石粉末的平均粒徑小于1μm。

14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的濺射靶的制造方法，其中，

所述燒結(jié)溫度是1000℃以下。

15.一種濺射靶的制造方法，其特征在于，包括下述工序：

將含有10～45at％的Pt且剩余部分由Co和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Co－Pt系合金粉末與金剛石粉末混合，制作以原子數(shù)比率計含有1～50at％的C的混合粉末，在真空氣氛下或惰性氣體氣氛下以所述混合粉末中的金剛石不相變?yōu)槭臒Y(jié)溫度進行燒結(jié)，制作燒結(jié)體。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的濺射靶的制造方法，其中，

所述金剛石粉末的平均粒徑小于1μm。

17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的濺射靶的制造方法，其中，

所述燒結(jié)溫度是1000℃以下。