[發明專利]無阻擋層的鎢沉積

在審

• 申請號: 201880092720.1
• 申請日: 2018-12-12
• 公開（公告）號: CN112041969A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 陳一宏;巫勇;秦嘉政;斯里尼瓦·甘迪科塔;凱爾文·陳
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L21/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種處理方法，包含：

將基板表面暴露于硼前驅物以形成非晶硼層，所述基板表面實質上無阻擋層；

將所述非晶硼層暴露于第一金屬前驅物以將所述非晶硼層轉變為第一金屬層；

通過將所述第一金屬層暴露于第二金屬前驅物，在所述第一金屬層上形成第二金屬層。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述硼前驅物包含具有通式B_cH_dX_eR_f的一或多個物種，其中每一X是獨立地選自F、Cl、Br和I的鹵素，每一R是獨立選擇的C1-C4烷基，c是大于或等于2的任何整數，d、e和f中的各個小于或等于c+2并且d+e+f等于c+2。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述第一金屬前驅物和所述第二金屬前驅物獨立地包含WF₆、WCl₆、WCl₅、W(CO)₅、MoF₆、MoCl₅或Mo(CO)₆中的一或多種。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述第一金屬前驅物實質上不包含氟。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述第二金屬層是通過將所述基板表面分別暴露于第二金屬前驅物和反應物而形成。

6.一種處理方法，包含：

將基板表面暴露于硅前驅物以形成非晶硅層，所述基板表面實質上無阻擋層；

將所述非晶硅層暴露于第一金屬前驅物以將所述非晶硅層轉變為第一金屬層；

通過將所述第一金屬層暴露于第二金屬前驅物，在所述第一金屬層上形成第二金屬層。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述硅前驅物包含具有通式Si_gH_hX_i的一或多個物種，其中每一X是獨立地選自F、Cl、Br和I的鹵素，g是大于或等于1的任何整數，h和i各自小于或等于2g+2且h+i等于2g+2。

8.如權利要求6所述的方法，其中所述第一金屬前驅物和所述第二金屬前驅物獨立地包含WF₆、WCl₆、WCl₅、W(CO)₅、MoF₆、MoCl₅或Mo(CO)₆中的一或多種。

9.如權利要求6所述的方法，其中所述第一金屬前驅物實質上不包含氟。

10.如權利要求6所述的方法，其中所述第二金屬層是通過將所述基板表面分別暴露于第二金屬前驅物和反應物而形成。

11.一種處理方法，包含：

將基板表面暴露于硅前驅物和硼前驅物以形成包含硅和硼的非晶層，所述基板表面實質上無阻擋層；

將所述非晶層暴露于第一金屬前驅物以將所述非晶層轉變為第一金屬層；

通過將所述第一金屬層暴露于第二金屬前驅物，在所述第一金屬層上形成第二金屬層。

12.如權利要求11所述的方法，其中所述硅前驅物包含具有通式Si_gH_hX_i的一或多個物種，其中每一X是獨立地選自F、Cl、Br和I的鹵素，g是大于或等于1的任何整數，h和i各自小于或等于2g+2且h+i等于2g+2；并且所述硼前驅物包含具有通式B_cH_dX_eR_f的一或多個物種，其中每一X是獨立地選自F、Cl、Br和I的鹵素，每一R是獨立選擇的C1-C4烷基，c是大于或等于2的任何整數，d、e和f中的各個小于或等于c+2并且d+e+f等于c+2。