[發明專利]有機EL顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201880091300.1
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN111886928A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 岸本克彥
• 申請（專利權）人: 堺顯示器制品株式會社
• 主分類號: H05B33/04
• 分類號: H05B33/04;G09F9/30;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/10
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 葉乙梅

1.一種有機EL顯示裝置，其具有多個像素，其特征在于，所述有機EL顯示裝置具有：

基板、具有由所述基板支承的多個有機EL元件的元件基板以及覆蓋所述多個有機EL元件的薄膜密封結構，

所述薄膜密封結構具有第一無機勢壘層、形成于所述第一無機勢壘層上的有機勢壘層以及形成于所述有機勢壘層上的第二無機勢壘層，

所述第一無機勢壘層的與所述有機勢壘層接觸的表面具有多個細微的凸部，所述表面的粗糙度的最大高度Rz為20nm以上且小于100nm。

2.如權利要求1所述的有機EL顯示裝置，其特征在于，

構成所述有機勢壘層的樹脂材料填充于所述多個細微的凸部的間隙中。

3.如權利要求1或2所述的有機EL顯示裝置，其特征在于，

所述元件基板還具有規定所述多個像素中的每一個的堤層，

所述有機勢壘層覆蓋所述堤層，具有平坦的表面。

4.如權利要求3所述的有機EL顯示裝置，其特征在于，

所述有機勢壘層的厚度為3μm以上且5μm以下。

5.如權利要求1或2所述的有機EL顯示裝置，其特征在于，

所述元件基板還具有規定所述多個像素中的每一個的堤層，

所述堤層具有包圍所述多個像素的每一個的周圍的斜面，

所述有機勢壘層具有離散地分布的多個實心部，

所述多個實心部具有從所述第一無機勢壘層的所述斜面上的部分到所述像素內的周邊的像素周邊實心部，

與所述像素周邊實心部接觸的所述第一無機勢壘層的表面的粗糙度的最大高度Rz為20nm以上且小于100nm。

6.如權利要求5所述的有機EL顯示裝置，其特征在于，

所述有機勢壘層的厚度為50nm以上且小于200nm，且比所述第一無機勢壘層的所述表面粗糙度的最大高度Rz小。

7.如權利要求1至6中任一項所述的有機EL顯示裝置，其特征在于，

所述第一無機勢壘層包括SiN層或SiON層。

8.如權利要求7所述的有機EL顯示裝置，其特征在于，

所述第一無機勢壘層僅由SiN層和/或SiON層形成。

9.如權利要求7或8所述的有機EL顯示裝置，其特征在于，

所述第一無機勢壘層包括折射率為1.70以上且1.90以下的SiON層。

10.如權利要求7所述的有機EL顯示裝置，其特征在于，

第一無機勢壘層還包括SiO₂層。

11.如權利要求10所述的有機EL顯示裝置，其特征在于，

所述SiO₂層的表面與所述有機勢壘層接觸。

12.如權利要求11所述的有機EL顯示裝置，其特征在于，

所述SiO₂層的厚度在20nm以上且50nm以下。

13.如權利要求1至12中任一項所述的有機EL顯示裝置，其特征在于，

所述第一無機勢壘層的厚度在200nm以上且1500nm以下，且為所述表面的粗糙度的最大高度Rz的5倍以上。

14.一種如權利要求1至13中任一項所述的有機EL顯示裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一無機勢壘層的形成工序包括使用等離子體CVD法沉積包括SiN或SiON的無機絕緣膜的工序，

所述沉積工序包含使所述元件基板的溫度上升或使等離子體能量上升的工序。

15.一種如權利要求1至13中任一項所述的有機EL顯示裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一無機勢壘層的形成工序包括：將包括SiN或SiON的無機絕緣膜的沉積工序；以及在所述沉積工序之后用含有氧或臭氧的氣體對所述無機絕緣膜的表面進行灰化的工序。