[發明專利]切割裝置以及切割方法有效
| 申請號: | 201880088934.1 | 申請日: | 2018-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN111699545B | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | 福家朋來;清水翼;西山真生 | 申請(專利權)人: | 株式會社東京精密 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;B24B27/06;B24B49/12 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 劉文海 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切割 裝置 以及 方法 | ||
1.一種切割裝置,其在隔著切割帶將工件保持于工作臺的狀態下,使通過主軸旋轉的刀片與所述工作臺相對移動來進行切割加工,其中,
所述切割裝置具備:
切削痕檢測部,其檢測在所述切割帶的未粘貼所述工件的表面區域形成的切削痕的切削痕信息;以及
控制部,其基于所述切削痕檢測部檢測到的所述切削痕信息來控制所述刀片的高度,以使向所述切割帶切入的切入深度恒定,
所述切削痕信息包括與所述切削痕的切削進給方向上的長度相關的信息,所述切削痕在使所述刀片和所述工作臺在沿著所述工件的分割預定線的所述切削進給方向上相對移動的情況下形成于所述切割帶的表面區域,
所述切削痕檢測部基于所述切削痕信息來計算所述切割帶的表面區域中的切削痕形成率,
所述控制部基于所述切削痕檢測部計算出的所述切削痕形成率來控制所述刀片的高度,以使所述切削痕形成率在恒定的范圍內。
2.根據權利要求1所述的切割裝置,其中,
所述切割裝置具備配置于所述工作臺的對置位置的拍攝裝置,
所述切削痕檢測部基于由所述拍攝裝置拍攝的所述切割帶的表面區域的圖像數據來檢測所述切削痕信息。
3.根據權利要求2所述的切割裝置,其中,
所述拍攝裝置由對準用照相機構成。
4.根據權利要求1所述的切割裝置,其中,
所述切割裝置具備配置于所述工作臺的對置位置的距離測定裝置,
所述切削痕檢測部基于由所述距離測定裝置測定的距離數據來檢測所述切削痕信息,所述距離數據表示到所述切割帶的表面區域為止的距離。
5.一種切割方法,其在隔著切割帶將工件保持于工作臺的狀態下,使通過主軸旋轉的刀片與所述工作臺相對移動來進行切割加工,其中,
所述切割方法包括:
檢測步驟,在該檢測步驟中,檢測在所述切割帶的未粘貼所述工件的表面區域形成的切削痕的切削痕信息;以及
控制步驟,在該控制步驟中,基于在所述檢測步驟中檢測到的所述切削痕信息來控制所述刀片的高度,以使向所述切割帶切入的切入深度恒定,
所述切削痕信息包括與所述切削痕的切削進給方向上的長度相關的信息,所述切削痕在使所述刀片與所述工作臺在沿著所述工件的分割預定線的所述切削進給方向上相對移動的情況下形成于所述切割帶的表面區域,
在所述檢測步驟中,基于所述切削痕信息來計算所述切割帶的表面區域中的切削痕形成率,
在所述控制步驟中,基于所述切削痕形成率來控制所述刀片的高度,以使所述切削痕形成率在恒定的范圍內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





