[發明專利]樹脂掩膜剝離用清洗劑組合物

在審

• 申請號: 201880084864.2
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN111566567A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 山田晃平
• 申請（專利權）人: 花王株式會社
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L21/027;H01L21/304
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王永紅

本發明在一個方案中提供一種樹脂掩膜去除性優異的樹脂掩膜剝離用清洗劑組合物。本發明在一個方案中涉及一種樹脂掩膜剝離用清洗劑組合物，其含有堿劑(成分A)、有機溶劑(成分B)及水(成分C)，成分B的漢森溶解度參數的坐標在以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7為中心的半徑5.45MPa^0.5的球的范圍內，使用時的成分C的含量為69.9質量％以上且99.4質量％以下。

技術領域

本發明涉及樹脂掩膜剝離用清洗劑組合物、使用該清洗劑組合物的清洗方法及電子部件的制造方法。

背景技術

近年來，在個人電腦或各種電子裝置中，低耗電化、處理速度的高速化、小型化有所發展，搭載與其上的封裝基板等的配線逐年微細化。形成這種微細配線以及支柱或凸塊的連接端子至今主要使用金屬掩膜法，但由于通用性較低或難以應對配線等的微細化，而正在向其他新方法轉變。

作為新方法之一，已知將干膜抗蝕劑代替金屬掩膜而用作厚膜樹脂掩膜的方法。該樹脂掩膜最終會被剝離、去除，此時使用堿性的剝離用清洗劑。

作為這種剝離用清洗劑，例如，專利文獻1中記載有一種低蝕刻性抗蝕劑清洗劑，其特征在于：含有季銨氫氧化物、規定的烷基二醇芳基醚或其衍生物、以及(C)苯乙酮或其衍生物。

專利文獻2中記載有一種抗蝕劑用剝離液，其含有(A)脂肪族醇系溶劑35～80質量％、(B)選自鹵素系烴溶劑、非羥基化醚溶劑中的有機溶劑10～40質量％、(C)季銨鹽0.1～25質量％。

專利文獻3中記載有一種溶液，其含有：包含二甲基亞砜、季銨氫氧化物、規定的烷醇胺及醇、多羥基化合物或其組合的第二溶劑，且水的含量為3質量％以下。

專利文獻4中記載有一種準水系組合物，該準水系組合物用于微電子裝置的再加工，且含有至少1種堿及/或堿土金屬堿、至少1種有機溶劑及水。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2008/071078號

專利文獻2：美國專利第5185235號說明書

專利文獻3：美國專利申請公開第2014/0155310號說明書

專利文獻4：國際公開第2008/039730號

發明內容

發明要解決的課題

對印刷基板等形成微細配線時，不僅為了減少樹脂掩膜的殘存，更為了減少用于形成微細配線或凸塊的焊料或鍍覆液等中所包含的助劑等的殘存，對清洗劑組合物要求較高的清洗性。樹脂掩膜使用因光或電子束等而使在顯影液中的溶解性等物性發生變化的抗蝕劑而形成。

根據與光或電子束反應的方法，抗蝕劑大體分為負型與正型。負型抗蝕劑具有若被曝光則在顯影液中的溶解性降低的特性，關于包含負型抗蝕劑的層(以下也稱為“負型抗蝕層”)，在曝光及顯影處理后，曝光部用作樹脂掩膜。正型抗蝕劑具有若被曝光則對顯影液的溶解性增大的特性，關于包含正型抗蝕劑的層(以下也稱為“正型抗蝕層”)，在曝光及顯影處理后，曝光部被去除，未曝光部用作樹脂掩膜。通過使用具有這種特性的樹脂掩膜，可形成金屬配線、金屬柱或焊料凸塊的電路基板的微細連接部。

但是，由于形成這些連接部時所使用的鍍覆處理或加熱處理等樹脂掩膜的特性發生變化，在下一工序的清洗工序中，存在樹脂掩膜難以被去除的傾向。特別是，負型抗蝕劑具有通過與光或電子束的反應而固化的特性，因而使用負型抗蝕劑形成的樹脂掩膜由于形成連接部時所使用的鍍覆處理或加熱處理等固化至超過必要的程度，無法通過清洗工序而完全去除，或者，去除所耗時間非常長，從而對基板或金屬表面造成損傷。如此，經鍍覆處理及/或加熱處理的樹脂掩膜難以去除，因此對清洗劑組合物要求較高的樹脂掩膜去除性。