[發明專利]化合物

在審

• 申請號: 201880082227.1
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN111566835A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: N·伊斯拉姆;W·塔蘭;J-B·吉格爾
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王海寧

1.式(I)的化合物：

其中R¹和R²各自獨立地為直鏈、支化或環狀的C_1-20烷基；并且Ar¹和Ar²各自獨立地為芳族或雜芳族基團，所述芳族或雜芳族基團是未取代的或者取代有一個或多個取代基。

2.根據權利要求1的化合物，其中Ar¹是C_6-20芳族基團。

3.根據權利要求2的化合物，其中Ar¹是苯基。

4.根據任意前述權利要求的化合物，其中Ar²是C_6-20芳族基團。

5.根據權利要求5的化合物，其中Ar²是苯基。

6.根據前述權利要求中任一項的化合物，其中Ar¹和Ar²各自獨立地是未取代的或者取代有一個或多個取代基，所述取代基選自：

支化、直鏈或環狀的C_1-12烷基，其中該C_1-12烷基的一個或多個不相鄰的非末端C原子可以被O、S、NR⁵、C＝0或COO替換，其中R⁵是C_1-12烴基；和

離子取代基。

7.一種組合物，其包含有機半導體和根據前述權利要求中任一項的化合物。

8.根據權利要求7的組合物，其中所述有機半導體是半導體聚合物。

9.根據權利要求8的組合物，其中所述半導體聚合物是共軛聚合物。

10.一種配制物，其包含根據權利要求1-6任一項的化合物和至少一種溶劑。

11.根據權利要求10的配制物，其中該配制物還包含有機半導體。

12.通過用n-摻雜劑摻雜有機半導體而形成的電荷轉移鹽，所述n-摻雜劑是由根據權利要求1-6任一項的式(I)的化合物形成。

13.一種形成電荷轉移鹽的方法，該方法包括激活根據權利要求7-9任一項的組合物的步驟。

14.一種有機電子器件，其包括含根據權利要求12的電荷轉移鹽的層。

15.根據權利要求14的有機電子器件，其中所述有機電子器件是包括陽極、陰極以及在所述陽極與所述陰極之間的發光層的有機發光器件，并且其中所述包含電荷轉移鹽的層是在發光層和陰極之間的電子注入層。

16.根據權利要求15的有機電子器件，其中所述電子注入層與所述發光層接觸。

17.一種形成有機電子器件的層的方法，該方法包括以下步驟：沉積根據權利要求7-9任一項的組合物的層，以及激活該組合物以引起有機半導體的n-摻雜。

18.根據權利要求17的方法，其中通過加熱和/或照射來激活所述組合物。

19.根據權利要求17或18所述的方法，其中由根據權利要求11的配制物來沉積所述組合物的層。