[發明專利]具有二醇結構的保護膜形成用組合物

在審

• 申請號: 201880082023.8
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN111492312A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 遠藤貴文;染谷安信;岸岡高廣
• 申請（專利權）人: 日產化學株式會社
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11;G03F7/40;H01L21/308
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 馬妮楠;段承恩

本發明提供一種耐半導體用濕蝕刻液的保護膜形成用組合物，其包含分子內含有至少1組彼此相鄰的2個羥基的化合物、或其聚合物、以及溶劑，其是在半導體制造中的光刻工藝中，用于形成對半導體用濕蝕刻液的耐性優異、并可以通過干蝕刻迅速除去的保護膜的組合物，并提供應用了該保護膜的帶有抗蝕劑圖案的基板的制造方法、和半導體裝置的制造方法。

技術領域

本發明涉及在半導體制造中的光刻工藝中，用于形成對半導體用濕蝕刻液、優選堿性過氧化氫水溶液的耐性優異的保護膜的組合物。此外，涉及應用了上述保護膜的抗蝕劑圖案的形成方法、和半導體裝置的制造方法。

背景技術

在半導體制造中，在基板與形成在其上的抗蝕劑膜之間設置抗蝕劑下層膜，形成所希望的形狀的抗蝕劑圖案的光刻工藝是眾所周知的。

在專利文獻1中公開了包含具有縮水甘油基的聚合物、和具有被羥基等取代了的芳香族基的聚合物且用于與被外涂的光致抗蝕劑一起使用的防反射涂布組合物，以及由其成膜光致抗蝕劑下層膜并進行曝光、顯影、圖案形成的方法。

在專利文獻2中公開了通過將包含含有羥基等環氧反應基的樹脂、和含有環氧基的交聯樹脂的組合物涂布在基材上，在其上形成光致抗蝕劑層從而形成光致抗蝕劑浮雕圖像的方法。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2017-107185號公報

專利文獻2：日本特開2017-187764號公報

發明內容

發明所要解決的課題

在使用抗蝕劑下層膜作為蝕刻掩模，通過濕蝕刻進行基底基板的加工的情況下，對抗蝕劑下層膜要求在基底基板加工時對濕蝕刻液的良好的掩模功能。進一步，在濕蝕刻后通過干蝕刻將不需要的抗蝕劑下層膜除去的情況下，為了不對基底基板造成破壞，對于抗蝕劑下層膜而言，要求可以通過干蝕刻迅速除去那樣的蝕刻速度快(高蝕刻速率)的抗蝕劑下層膜。

以往，為了表現對作為濕蝕刻藥液的一種的SC-1(氨-過氧化氫溶液)的耐性，使用了應用沒食子酸作為添加劑的方法。

此外，已知兒茶酚結構顯示出半導體用濕蝕刻液耐性改善效果(專利文獻1和2)，但由于含有芳香族基，因此難以與高蝕刻速率兼有。

本發明的目的是解決這樣的課題。

用于解決課題的手段

本發明包含以下方案。

[1]一種耐半導體用濕蝕刻液的保護膜形成用組合物，其包含：分子內含有至少1組彼此相鄰的2個羥基的化合物、或其聚合物；以及溶劑。

[2]根據[1]所述的保護膜形成用組合物，上述彼此相鄰的2個羥基為1,2-乙二醇結構。

[3]根據[1]所述的保護膜形成用組合物，上述化合物包含式(1)或式(2)所示的部分結構。

(在式(1)和式(2)中，R¹、R²和R³各自為氫原子、或可以被取代的碳原子數1～10的烷基或可以被取代的碳原子數6～40的芳基，R¹可以與R²或R³一起形成環，Z¹和Z²表示1價有機基。)

[4]根據[3]所述的保護膜形成用組合物，在上述式(1)和式(2)中，R¹、R²和R³為氫原子。

[5]根據[1]～[4]中任一項所述的保護膜形成用組合物，其進一步包含交聯催化劑。