[發(fā)明專利]襯底的背側(cè)摩擦減小

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880077107.2
• 申請(qǐng)日: 2018-11-13
• 公開（公告）號(hào): CN111433886A
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜浩英
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;G03F7/26;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;蘇虹

1.一種處理襯底的方法，所述方法包括：

將所述襯底容納在襯底處理室中，所述襯底具有正側(cè)表面和與所述正側(cè)表面相反的背側(cè)表面，在形成膜層之前所述襯底的背側(cè)表面具有第一摩擦系數(shù)；以及

在所述襯底的所述背側(cè)表面上形成含氟化學(xué)物質(zhì)膜層，在所述襯底的背側(cè)表面上形成的所述膜層具有第二摩擦系數(shù)，所述第二摩擦系數(shù)低于所述第一摩擦系數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含氟化學(xué)物質(zhì)層包含以下中的一者：全氟癸基三氯硅烷、全氟辛基三氯硅烷、全氟七氯硅烷、全氟丁基氯硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷、全氟癸基三乙氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟癸基三甲氧基硅烷、全氟癸基一氯二甲基硅烷、全氟辛基一氯二甲基硅烷、全氟丁基一氯二甲基硅烷、全氟辛基三乙氧基二甲基硅烷、全氟癸基乙氧基二甲基硅烷、全氟辛基甲氧基二甲基硅烷或全氟癸基甲氧基二甲基硅烷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成膜層包括：

使所述背側(cè)表面暴露于含氟液體或氣體中；以及

使所述正側(cè)表面暴露于保持在比所述含氟氣體或液體更高的壓力下的氣體中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成膜層包括分子氣相沉積或分子液相沉積。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中去除膜層包括以下中的一者：使所述膜層暴露于含氧氣體中；使所述膜層暴露于含氧等離子體中；或使所述膜層暴露于含氧氣體以及紫外線的組合中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述背側(cè)表面上形成膜層之前，使所述背側(cè)表面暴露于化學(xué)處理，其中所述化學(xué)處理包括水、單原子氧、雙原子氧或三原子氧中的一者。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述襯底的背側(cè)表面上形成所述膜層之后，將所述襯底固定至襯底卡盤，其中在所述背側(cè)表面上形成所述膜層之前的所述襯底的第一測(cè)量摩擦系數(shù)大于在所述背側(cè)表面上形成所述膜層之后的所述襯底的第二測(cè)量摩擦系數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中當(dāng)在第一彎曲和第二彎曲期間所述襯底被固定至卡盤時(shí)，具有粘附至所述襯底的所述背側(cè)表面的膜層的所述襯底的第一彎曲小于不具有粘附至所述背側(cè)表面的膜層的所述襯底的第二彎曲。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中當(dāng)在第一變形和第二變形期間所述襯底被固定至卡盤時(shí)，具有粘附至所述襯底的所述背側(cè)表面的膜層的所述襯底的第一變形小于不具有粘附至所述背側(cè)表面的膜層的所述襯底的第二變形。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在光致抗蝕劑層暴露于光化輻射圖案之后發(fā)生所述光致抗蝕劑層的顯影，并且其中在所述光致抗蝕劑層暴露于所述光化輻射圖案之前在所述襯底的背側(cè)表面上形成所述膜層。

11.一種襯底，包括：

襯底，其具有正側(cè)表面和與所述正側(cè)表面相反的背側(cè)表面，其中所述襯底的裸露的背側(cè)表面具有第一摩擦系數(shù)；以及

含氟化學(xué)物質(zhì)膜層，其形成在所述襯底的背側(cè)表面上，其中形成在所述襯底的背側(cè)表面上的膜層具有第二摩擦系數(shù)，并且所述第二摩擦系數(shù)低于所述第一摩擦系數(shù)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底，其中當(dāng)在第一測(cè)量變形和第二測(cè)量變形期間所述襯底被固定至襯底卡盤時(shí)，具有所述裸露的背側(cè)表面的所述襯底的所述第一測(cè)量變形大于具有形成在所述背側(cè)表面上的所述含氟化學(xué)物質(zhì)膜層的所述襯底的所述第二測(cè)量變形。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底，其中所述含氟化學(xué)物質(zhì)膜層包含以下中的一者：全氟癸基三氯硅烷、全氟辛基三氯硅烷、全氟七氯硅烷、全氟丁基氯硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷、全氟癸基三乙氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟癸基三甲氧基硅烷、全氟癸基一氯二甲基硅烷、全氟辛基一氯二甲基硅烷、全氟丁基一氯二甲基硅烷、全氟辛基三乙氧基二甲基硅烷、全氟癸基乙氧基二甲基硅烷、全氟辛基甲氧基二甲基硅烷或全氟癸基甲氧基二甲基硅烷。