[發明專利]半導體元件中間體、含金屬膜形成用組合物、半導體元件中間體的制造方法、半導體元件的制造方法

在審

• 申請號: 201880073271.6
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN111433894A
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 和知浩子;茅場靖剛;田中博文;藤井謙一
• 申請（專利權）人: 三井化學株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;G03F7/11;G03F7/26
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;金鮮英

1.一種半導體元件中間體，其具有基板和多層抗蝕劑層，

所述多層抗蝕劑層中具有含金屬膜，

所述含金屬膜中，通過X射線光電子能譜法測定的鍺元素的含量為20atm％以上，或者錫元素、銦元素和鎵元素的合計含量為1atm％以上。

2.根據權利要求1所述的半導體元件中間體，所述含金屬膜在400℃、1atm的氣氛下為固體。

3.根據權利要求1或2所述的半導體元件中間體，所述含金屬膜中，所述鍺元素的含量為30atm％以上，或者錫元素、銦元素和鎵元素的合計含量為2atm％以上30atm％以下。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體元件中間體，所述含金屬膜包含鍺的氧化物，或者包含選自錫的氧化物、銦的氧化物和鎵的氧化物中的1種以上。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體元件中間體，在所述多層抗蝕劑層的至少1個層形成有凹部，

所述含金屬膜形成在所述凹部的內部，與凹部的底部相接。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體元件中間體，所述含金屬膜為所述多層抗蝕劑層所包含的至少1個層。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體元件中間體，所述多層抗蝕劑層具有旋涂碳膜和無定形硅膜中的至少一者，

所述含金屬膜中通過X射線光電子能譜法測定的鍺元素的含量為20atm％以上。

8.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體元件中間體，所述多層抗蝕劑層具有二氧化硅膜和氮化硅膜中的至少一者，

所述含金屬膜中通過X射線光電子能譜法測定的錫元素、銦元素和鎵元素的合計含量為1atm％以上。

9.根據權利要求1～7中任一項所述的半導體元件中間體，所述含金屬膜為抗蝕劑膜。

10.根據權利要求1～7中任一項所述的半導體元件中間體，所述含金屬膜為埋入絕緣膜。

11.根據權利要求10所述的半導體元件中間體，在所述多層抗蝕劑層的至少1個層形成有凹部，

所述含金屬膜形成在所述凹部的內部，

所述凹部的寬度為5nm以上300nm以下。

12.一種含金屬膜形成用組合物，是用于形成權利要求1～11中任一項所述的半導體元件中間體中的所述含金屬膜的組合物，

在氮氣氣氛下以400℃燒成10分鐘后的通過X射線光電子能譜法測定的鍺元素的含量為20atm％以上，或者錫元素、銦元素和鎵元素的合計含量為1atm％以上。

13.根據權利要求12所述的含金屬膜形成用組合物，在氮氣氣氛下以400℃燒成10分鐘后的折射率為1.3以上2.0以下。

14.根據權利要求12或13所述的含金屬膜形成用組合物，所述含金屬膜中，所述鍺元素的含量為30atm％以上，或者錫元素、銦元素和鎵元素的合計含量為2atm％以上30atm％以下。

15.根據權利要求12～14中任一項所述的含金屬膜形成用組合物，固化開始溫度為300℃以下。

16.根據權利要求12～15中任一項所述的含金屬膜形成用組合物，其包含選自由鍺醇鹽化合物、鍺碳化化合物、鍺的氫氧化物和鍺的鹵化物所組成的組中的至少1種，或者包含選自由錫醇鹽化合物、錫碳化化合物、錫的氫氧化物、錫的鹵化物、銦醇鹽化合物、銦碳化化合物、銦的氫氧化物、銦的鹵化物、鎵醇鹽化合物、鎵碳化化合物、鎵的氫氧化物和鎵的鹵化物所組成的組中的至少1種。