[發(fā)明專利]阻隔材形成用組合物、阻隔材及其制造方法、以及產(chǎn)品及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880070338.0
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN111278923A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 小竹智彥;牧野龍也;赤須雄太
• 申請（專利權(quán)）人: 日立化成株式會社
• 主分類號: C08L83/06
• 分類號: C08L83/06;B32B27/00;C08G77/58;C08G79/10;C09D183/04;C09J183/04
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;金鮮英

本發(fā)明提供一種阻隔材形成用組合物，其包含硅烷低聚物，所述硅烷低聚物的至少一部分被金屬醇鹽修飾。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種阻隔材形成用組合物、阻隔材及其制造方法、以及產(chǎn)品及其制造方法。

背景技術(shù)

一直以來，為了避免濕氣混入至在電子部件中形成的空隙部，研究了利用阻隔膜等來密封電子部件。例如，專利文獻1中記載了一種將具備無機氧化物層的阻隔膜層疊而成的阻隔膜層疊體。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-093195號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

但是，專利文獻1中記載的阻隔膜層疊體由于為膜狀因此能夠適用的對象受到限制。

另外，用焊料等填埋電子部件的構(gòu)件間而將空隙部密閉的方法也正在進行。但是，在該方法中，在侵入到空隙部的少量水分由于加熱而膨脹的情況下，電子部件有可能被破壞，且在高溫環(huán)境下的使用受到限制。

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種阻隔材，其能夠適用于各種形狀的對象物，防濕性優(yōu)異，且即使暴露于高溫環(huán)境下也能夠充分抑制由于侵入至內(nèi)部的水分的膨脹而導(dǎo)致的破壞。本發(fā)明的另一個目的在于提供一種用于形成上述阻隔材的阻隔材形成用組合物。本發(fā)明又一個目的在于提供一種上述阻隔材的制造方法、具備上述阻隔材的產(chǎn)品、以及該產(chǎn)品的制造方法。

用于解決課題的方法

本發(fā)明提供一種阻隔材形成用組合物，其包含硅烷低聚物，上述硅烷低聚物的至少一部分被金屬醇鹽修飾。

這樣的組合物通過涂布于對象物上并加熱，能夠容易地在對象物上形成防濕性優(yōu)異的阻隔材。另外，所形成的阻隔材具有柔軟性和脫濕性，即使在侵入至對象物內(nèi)部的水分由于加熱而膨脹的情況下，也能夠充分抑制對象物的破壞。

在一個形態(tài)中，相對于上述硅烷低聚物中的硅原子的總數(shù)，與三個氧原子鍵合的硅原子和與四個氧原子鍵合的硅原子的合計數(shù)的比例可以大于或等于50％。

在一個形態(tài)中，上述硅烷低聚物可以具有與三個氧原子鍵合的硅原子。

一個形態(tài)涉及的組合物可以進一步含有硅烷單體。

在一個形態(tài)中，上述硅烷單體可以含有與三個或四個氧原子鍵合的硅原子。

在一個形態(tài)中，上述硅烷單體可以為選自由烷基三烷氧基硅烷、芳基三烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷組成的組中的硅烷單體。

在一個形態(tài)中，上述硅烷單體的含量相對于硅烷低聚物100質(zhì)量份可以小于或等于100質(zhì)量份。

在一個形態(tài)中，上述金屬醇鹽可以為鋁醇鹽。

本發(fā)明還提供一種阻隔材形成用組合物的制造方法，其具備如下工序：第一工序，準備至少一部分被金屬醇鹽修飾的硅烷低聚物；和第二工序，將上述硅烷低聚物和硅烷單體混合而得到阻隔材形成用組合物。

在一個形態(tài)中，上述第一工序可以包含如下工序：使硅烷低聚物與金屬醇鹽反應(yīng)，從而將上述硅烷低聚物的至少一部分用金屬醇鹽修飾。

在一個形態(tài)中，上述第一工序可以包含如下工序：使硅烷單體與金屬醇鹽反應(yīng)，從而形成至少一部分被金屬醇鹽修飾了的硅烷低聚物。

本發(fā)明還提供一種阻隔材的制造方法，其具備如下工序：對上述阻隔材形成用組合物進行加熱而形成阻隔材。

本發(fā)明還提供一種具有經(jīng)防濕處理的構(gòu)件的產(chǎn)品的制造方法。該制造方法可以具備如下工序：第一工序，在構(gòu)件上涂布上述阻隔材形成用組合物；和第二工序，對所涂布的該組合物進行加熱而在上述構(gòu)件上形成阻隔材。