[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201880070289.0
• 申請日: 2018-10-23
• 公開（公告）號: CN111357086A
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 山崎舜平;神長正美;井口貴弘;島行德;岡崎健一
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/14
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種半導體裝置，包括：

第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層、第四絕緣層、半導體層及第一導電層，

其中，所述第二絕緣層位于所述第一絕緣層上，

所述半導體層位于所述第二絕緣層上并具有島狀形狀，

所述第三絕緣層及所述第一導電層在所述半導體層上層疊而設置，

所述第二絕緣層具有其端部位于與所述半導體層重疊的區域的外側的島狀形狀，

所述第四絕緣層覆蓋所述第二絕緣層、所述半導體層、所述第三絕緣層及所述第一導電層，與所述半導體層的頂面的一部分接觸并在所述第二絕緣層的所述端部的外側與所述第一絕緣層接觸，

所述半導體層包含金屬氧化物，

所述第二絕緣層及所述第三絕緣層包含氧化物，

所述第一絕緣層包含金屬氧化物或氮化物，

并且，所述第四絕緣層包含金屬氮化物。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第四絕緣層包含鋁。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述第一絕緣層包含鋁和鉿中的至少一個以及氧。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中所述第二絕緣層的頂面形狀與所述半導體層的頂面形狀大致一致。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中所述第二絕緣層具有所述端部位于與所述第一導電層重疊的區域的外側的部分。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中所述第二絕緣層具有所述端部位于與所述第一導電層重疊的區域的部分。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，

其中在所述第一絕緣層下包括第二導電層，

并且所述第二導電層具有與所述半導體層及所述第一導電層的雙方重疊的區域。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第二絕緣層具有所述端部位于與所述第二導電層重疊的區域的外側的部分。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第二絕緣層具有所述端部位于與所述第二導電層重疊的區域的部分。