[發明專利]硅顆粒的熱處理

有效

• 申請號: 201880069750.0
• 申請日: 2018-07-25
• 公開（公告）號: CN111278769B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發明（設計）人: 多米尼克·揚特克;羅伯特·毛雷爾
• 申請（專利權）人: 瓦克化學股份公司
• 主分類號: C01B33/02
• 分類號: C01B33/02;C09D11/037;C30B29/06;H01M4/134
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 殷爽

1.一種用于制備硅顆粒的方法，所述硅顆粒具有直徑百分比d₅₀為1.0μm至10.0μm的體積加權粒徑分布以及基于所述硅顆粒總重量的按重量計0.1至5％的氧含量，其中

1)研磨硅以形成硅顆粒，

其中所述研磨是在氧化氣氛或在氧化介質中進行的和/或將通過研磨獲得的硅顆粒暴露于氧化氣氛，和

2)在1000℃至1100℃的溫度下，在惰性氣體氣氛中或在降低的壓力下熱處理在步驟1)中獲得的硅顆粒。

2.根據權利要求1所述的用于制備硅顆粒的方法，其特征在于所述惰性氣體氣氛含有一種或多種惰性氣體，所述惰性氣體選自由氮氣和稀有氣體組成的組。

3.根據權利要求2所述的用于制備硅顆粒的方法，其特征在于所述稀有氣體是氦、氖、氬或氙。

4.根據權利要求2所述的用于制備硅顆粒的方法，其特征在于所述惰性氣體氣氛含有基于所述惰性氣體氣氛總體積的按體積計≥95％的惰性氣體。

5.根據權利要求1或2所述的用于制備硅顆粒的方法，其特征在于所述氧化氣氛含有一種或多種氧化氣體，所述氧化氣體選自由二氧化碳、氮氧化物、二氧化硫、臭氧、過氧化物、氧氣和水蒸氣組成的組。

6.根據權利要求1或2所述的用于制備硅顆粒的方法，其特征在于所述氧化介質含有一種或多種液體，所述液體選自由水、脂肪族烴或芳香族烴、酯和醇組成的組。

7.根據權利要求1或2所述的用于制備硅顆粒的方法，其特征在于在步驟2)中獲得的硅顆粒具有在它們表面上的氧化層，所述氧化層具有2至50nm的層厚度。

8.根據權利要求1或2所述的用于制備硅顆粒的方法，其特征在于在步驟2)中獲得的硅顆粒和在步驟1)中獲得的硅顆粒關于它們的氧或硅含量相差≤基于所述硅顆粒總重量的按重量計0.2％。