[發明專利]1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物及其制備方法在審
| 申請號: | 201880059969.2 | 申請日: | 2018-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN111094181A | 公開(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發明(設計)人: | B·K·黃;周孝賓 | 申請(專利權)人: | DDP特種電子材料美國第9有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/04 | 分類號: | C01B33/04;C07F7/10;C23C16/00 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280 | 代理人: | 徐舒 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 氨基 硅烷 化合物 及其 制備 方法 | ||
公開了一種1,1,1?三(有機氨基)二硅烷化合物和一種制備所述1,1,1?三(有機氨基)二硅烷化合物的方法。所述方法包括用包含有機胺化合物的胺化劑將1,1,1?三鹵代二硅烷胺化,得到包含所述1,1,1?三(有機氨基)二硅烷化合物的反應產物,從而制備所述1,1,1?三(有機氨基)二硅烷化合物。還公開了一種成膜組合物。所述成膜組合物包含所述1,1,1?三(有機氨基)二硅烷化合物。還公開了一種用所述成膜組合物形成的膜和一種形成所述膜的方法。形成所述膜的所述方法包括在基材存在下使包含所述1,1,1?三(有機氨基)二硅烷化合物的所述成膜組合物經受沉積條件,從而在所述基材上形成所述膜。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2017年7月31日提交的美國臨時申請號62/538,957的優先權和所有優點,該臨時申請的內容以引用方式并入本文。
技術領域
本發明整體涉及二硅烷化合物,并且更具體地涉及1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物、制備1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物的方法、包含1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物中的至少一種的成膜組合物、用成膜組合物形成膜的方法以及由此形成的膜。
背景技術
硅烷化合物在本領域中是已知的,并且用于各種最終用途應用中。例如,硅烷化合物可用于制備有機聚硅氧烷,例如硅酮聚合物或樹脂。替代性地,硅烷化合物普遍用于電子工業。例如,硅烷化合物用于通過沉積(例如化學氣相沉積、原子層沉積等)形成薄膜。取決于所使用的硅烷化合物(即,硅前體)的選擇,薄膜可包含晶體硅、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)或其他含Si官能團。通常,硅前體包括與硅鍵合的氫原子(氫化硅)和/或與硅鍵合的鹵素原子。例如,常規的硅前體包括甲基硅烷、聚硅氮烷、原硅酸四乙酯和六氯二硅烷。然而,諸如在利用高溫水解和/或縮合的常規方法中用這些常規硅前體形成的膜易產生某些缺陷,包括空隙和裂紋。空隙、裂紋和其他缺陷繼而在膜中產生不均勻性,這可能不利地影響性能(例如,作為介電材料)。
發明內容
本發明提供了式(I)的1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物:
其中每個R1為獨立選擇的具有從1至10個碳原子的烴基,并且每個R2為獨立選擇的具有從1至10個碳原子的烴基或H。
還提供了制備1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物的方法。該方法包括用胺化劑將1,1,1-三鹵代二硅烷胺化以得到包含1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物的反應產物,從而制備1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物。該胺化劑包括具有式HNR1R2的有機胺化合物,其中每個R1為獨立選擇的具有從1至10個碳原子的烴基,并且每個R2為獨立選擇的具有從1至10個碳原子的烴基或H。
還提供了根據該制備方法形成的包含1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物的反應產物。
還提供了成膜組合物。該成膜組合物包含1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物。
還提供了一種用該成膜組合物形成膜的方法。該形成方法包括在基材存在下使包含1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物的該成膜組合物經受沉積條件,從而在基材上形成膜。
另外提供了根據該形成方法形成的膜。
具體實施方式
公開了一種1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物。該1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物可用于各種最終用途應用。例如,該1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物可用作例如經由化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)制備含Si膜時的前體。該1,1,1-三(有機氨基)二硅烷化合物不限于特定的最終用途。
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