[發明專利]用于在小量測目標上對準的拍頻圖案

有效

• 申請號: 201880057808.X
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN111065974B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發明（設計）人: B·O·夫艾格金格奧爾;P·C·赫因恩;H·A·J·克瑞姆;A·齊亞托馬斯;M·V·梅德韋久瓦
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

此處公開了一種形成在襯底上的目標，所述目標包括：對準結構；和量測結構；其中所述對準結構包括被布置成當用源輻射照射所述對準結構時產生拍頻圖案的結構。有利地，當照射所述目標時，在所述目標的圖像中出現的拍頻圖案允許使用圖案識別技術容易地識別出所述目標。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2017年9月7日提交的歐洲申請17189740.8的優先權，該歐洲申請通過引用全文并入本文。

技術領域

本發明涉及用于測量在襯底上形成的目標的方法和設備、一種光刻單元和一種目標。

背景技術

光刻設備是一種將所期望的圖案施加到襯底(通常是在襯底的目標部分)上的機器。光刻設備能夠例如用于集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可替代地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成要在IC的單層上形成的電路圖案。可以將該圖案轉印到襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如包括管芯的一部分、一個或幾個管芯)上。典型地，通過將圖案成像到設置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行圖案的轉印。通常，單個襯底將包含被連續圖案化的相鄰目標部分的網絡。在光刻過程中，經常期望對所產生的結構進行測量，例如用于過程控制和驗證。已知用于進行這種測量的各種工具，包括通常用于測量臨界尺寸(CD)的掃描電子顯微鏡和用于測量重疊的專用工具，重疊是器件中的兩個層的對準的準確度的度量。重疊可依據兩個層之間的未對準程度來描述，例如，對測量到的1nm的重疊的參考示例可描述兩個層存在1nm的未對準的情形。

近來，各種形式的散射儀已經被開發應用在光刻領域中。這些裝置將輻射束引導到目標上，并且測量散射輻射的一個或更多個屬性——例如作為波長的函數在單個反射角下或在一范圍反射角上的強度；作為反射角的函數在一種或更多種波長下的強度；或者作為反射角的函數的偏振——以獲得“光譜”，可以根據該“光譜”確定目標的感興趣的屬性。確定所感興趣的屬性可以通過各種技術來執行：例如，通過使用嚴格耦合波分析或有限元方法實施的迭代方法進行的目標的重構；庫搜索；以及主分量分析。

目標可以使用暗場散射測量來測量，其中零階衍射(對應于鏡面反射)被阻擋，且僅高階被處理。暗場量測的示例可以在國際專利申請WO?2009/078708和WO?2009/106279中找到，這些文獻通過引用全文并入本文。

針對給定重疊目標的不同的衍射階之間(例如第-1衍射階和第+1衍射階之間)的強度不對稱性提供目標不對稱性的測量結果；即，目標中的不對稱性。重疊目標中的這種不對稱性能夠用作重疊(兩個層的不期望的未對準)的指示。

可能期望將目標定位在具有可用于目標的極小空間的部位中，例如，定位在包含正被制造的產品的結構的產品區域中。定位在這類區域中的目標需要是小的。以足夠的準確度將輻射斑與這類目標對準是具有挑戰的。

發明內容

期望改善用于測量目標的現有方法和設備。

根據本發明的第一方面，提供了一種形成在襯底上的目標，所述目標包括：對準結構；和量測結構；其中所述對準結構包括被布置成當用源輻射照射所述對準結構時產生拍頻圖案的結構。

優選地，所述拍頻圖案是沿著所述對準結構的圖像的一系列峰和谷。

優選地，所述對準結構所包括的所述結構由在所述襯底的單層中多條間隔開的直線提供。

優選地，所述線的寬度沿著所述結構變化。

優選地，線寬的變化以大于所述量測結構的節距的周期周期性地重復。

優選地，線寬的變化以比所述量測結構的節距大3倍至50倍之間的周期周期性地重復。

優選地，相鄰線之間的線間隔實質上是恒定的。

優選地，每個線間隔接近于或為量測結構的節距。