[發明專利]用于在小量測目標上對準的拍頻圖案

有效

• 申請號: 201880057808.X
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN111065974B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發明（設計）人: B·O·夫艾格金格奧爾;P·C·赫因恩;H·A·J·克瑞姆;A·齊亞托馬斯;M·V·梅德韋久瓦
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

1.一種用于光刻過程的形成在襯底上的目標，所述目標包括：

對準結構；和

量測結構，具有大于所述對準結構的面積；

其中所述對準結構包括被布置成當用源輻射照射所述對準結構時產生拍頻圖案的結構，所述拍頻圖案使得能夠探測所述量測結構的位置用于測量。

2.根據權利要求1所述的目標，其中所述拍頻圖案是沿著所述對準結構的圖像的一系列峰和谷。

3.根據任一前述權利要求所述的目標，其中所述對準結構所包括的所述結構由在所述襯底的單層中多條間隔開的直線提供。

4.根據權利要求3所述的目標，其中所述線的寬度沿著所述結構變化。

5.根據權利要求3或4所述的目標，其中線寬的變化以大于所述量測結構的節距的周期周期性地重復。

6.根據權利要求5所述的目標，其中線寬的變化以比所述量測結構的節距大3倍至50倍之間的周期周期性地重復。

7.根據權利要求3至權利要求6中任一項所述的目標，其中相鄰線之間的線間隔實質上是恒定的。

8.根據權利要求3至權利要求7中任一項所述的目標，其中每個線間隔接近于或為所述量測結構的節距。

9.根據權利要求8所述的目標，其中每個線間隔在所述量測結構的節距的上下10％內。

10.根據權利要求5至權利要求9中任一項所述的目標，其中線寬和線寬重復的周期依賴于所述源輻射的波長被確定。

11.根據權利要求1或權利要求2所述的目標，其中所述對準結構所包括的所述結構由在所述襯底的多個層中的每一個中的光柵提供。

12.根據權利要求11所述的目標，其中：

所述襯底的第一層包括具有第一節距的第一光柵；和

所述襯底的第二層包括具有不同于所述第一節距的第二節距的第二光柵。

13.根據權利要求12所述的目標，其中所述第一節距和第二節距接近于所述量測結構的節距。

14.根據權利要求13所述的目標，其中所述第一節距和第二節距在所述量測結構的節距的上下10％內。

15.根據權利要求14所述的目標，其中所述第一節距和第二節距具有大的最小公倍數。