[發明專利]用于凈化聚合物熔體的方法和裝置

有效

• 申請號: 201880057482.0
• 申請日: 2018-09-03
• 公開（公告）號: CN111051037B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: K·舍費爾;J·亞歷山大;F·迪克邁斯;M·施密茨
• 申請（專利權）人: BB工程有限公司
• 主分類號: B29C48/694
• 分類號: B29C48/694;B29C48/76;B29C48/25
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 程猛

1.用于凈化聚合物熔體的方法，其中，將揮發性雜質和固體雜質從聚合物熔體中去除，其特征在于，將聚合物熔體擠壓通過過濾元件到真空室的真空中，其中，將固體雜質由過濾元件接納并且將揮發性雜質收集在真空室中，并且能夠在一個過程步驟中實施聚合物熔體的凈化，其中，過濾元件(4)具有至少伸入地保持在真空室(2)中的至少一個濾燭(5)或濾板(15)。

2.按照權利要求1所述的方法，其特征在于，在真空室內在過濾元件的出口面上引導聚合物熔體。

3.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，將揮發性雜質通過排氣孔從真空室中導出。

4.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，將在真空室中的真空調節到0.5毫巴至50毫巴的范圍中的負壓。

5.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，將聚合物熔體收集在真空室的在過濾元件下方構成的池槽中并且通過熔體排出口導出。

6.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，將聚合物熔體通過熔體入口以過壓引入由過濾元件界定的壓力腔中。

7.按照權利要求6所述的方法，其特征在于，以過濾元件的在40μm至1000μm范圍中的過濾細度過濾聚合物熔體。

8.按照權利要求7所述的方法，其特征在于，以在10巴至100巴的范圍中的過壓將聚合物熔體引入壓力腔中。

9.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，將聚合物熔體在凈化之前加熱到200℃以上的溫度。

10.用于利用按照權利要求1至9之一所述的方法凈化聚合物熔體的裝置，利用所述裝置，揮發性雜質和固體雜質能被從聚合物熔體中去除，其特征在于過濾元件(4)和真空室(2)的真空，其中，聚合物熔體能被引導通過過濾元件到真空室(2)的真空中，其中，過濾元件(4)束縛固體雜質并且真空室(2)接納揮發性雜質，過濾元件(4)具有至少伸入地保持在真空室(2)中的至少一個濾燭(5)或濾板(15)。

11.按照權利要求10所述的裝置，其特征在于，真空室(2)通過排氣孔(3)與收集容器(11)和真空泵(12)連接。

12.按照權利要求11所述的裝置，其特征在于，在真空室(2)中的真空通過真空泵(12)能產生在0.5毫巴至50毫巴的范圍中的負壓。

13.按照權利要求10或11或12所述的裝置，其特征在于，在真空室(2)的底部區域中，在過濾元件(4)下方構成池槽(9)，所述池槽與在室殼體(1)中的熔體排出口(8)連接。

14.按照權利要求13所述的裝置，其特征在于，室殼體(1)具有熔體入口(7)，所述熔體入口通入由過濾元件(4)界定的壓力腔(6)中。

15.按照權利要求10或11或12所述的裝置，其特征在于，過濾元件(4)具有在40μm至1000μm的范圍中的過濾細度。

16.按照權利要求14所述的裝置，其特征在于，熔體入口(7)能與壓力源(13)連接，通過所述壓力源，聚合物熔體能以在10巴至100巴的范圍中的過壓引入壓力腔(6)中。

17.按照權利要求13所述的裝置，其特征在于，設有用于對室殼體(1)調溫的加熱設備(10)。