[發明專利]用于增強電存儲的系統和方法

有效

• 申請號: 201880057203.0
• 申請日: 2018-08-30
• 公開（公告）號: CN111357069B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: N·G·紐馬克;S·M·柯林斯
• 申請（專利權）人: 清水控股有限公司
• 主分類號: H01G11/78
• 分類號: H01G11/78;H01G11/08;H01G11/58
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 蘇培華

1.一種電能存儲設備，包括：

殼體，其具有第一端部、與所述第一端部相對的第二端部、第一側部和與所述第一側部相對的第二側部；

第一電極，其被部署在所述殼體中，鄰近所述第一側部；

第二電極，其被部署在所述殼體中，鄰近所述第二側部；

電解質混合物，其被部署在所述殼體中并且在所述第一電極和所述第二電極之間，所述電解質混合物包含多個離子；

通道，其限定在所述第一電極和所述第二電極之間，所述通道被配置成允許所述多個離子中的至少一部分從鄰近所述第一電極的所述通道的第一部分通過鄰近所述殼體的第一端部的所述通道的第二部分而流到鄰近所述第二電極的所述通道的第三部分；以及

阻擋物，其被部署在所述殼體內，且其被部署在所述第一電極和所述第二電極之間，所述阻擋物包括一個或多個閘門，所述一個或多個閘門被配置成選擇性地打開和關閉，其中：

當所述一個或多個閘門關閉時，所述阻擋物被配置成幫助防止所述多個離子在鄰近于所述殼體的第二端部的所述第一電極和所述第二電極之間流動；以及

當所述一個或多個閘門打開時，所述阻擋物被配置成幫助允許所述多個離子中的至少一部分從鄰近所述第二電極的所述通道的第三部分穿過鄰近所述殼體的第二端部的所述一個或多個閘門而流到鄰近所述第一電極的所述通道的第一部分。

2.根據權利要求1所述的電能存儲設備，還包括部署在所述通道中的離子可滲透的分隔物，所述離子可滲透的分隔物被配置成允許所述電解質混合物的離子從其穿過。

3.根據權利要求1所述的電能存儲設備，其中，所述通道至少部分地由所述阻擋物來限定。

4.根據權利要求1所述的電能存儲設備，其中，所述通道具有大致U形的橫截面。

5.根據權利要求1所述的電能存儲設備，其中，所述通道具有大致V形的橫截面。

6.根據權利要求1所述的電能存儲設備，其中，所述一個或多個閘門還允許所述多個離子中的至少一部分從鄰近所述第一電極的所述通道的第一部分穿過鄰近所述殼體的第二端部的所述一個或多個閘門而流到鄰近所述第二電極的所述通道的第三部分。

7.根據權利要求1所述的電能存儲設備，其中，所述多個離子包括陽離子、陰離子或二者。

8.根據權利要求1所述的電能存儲設備，其中，所述多個離子包括具有第一密度的第一類型的離子和具有第二密度的第二類型的離子，所述第二密度不同于所述第一密度。

9.根據權利要求8所述的電能存儲設備，其中，所述第一密度為所述第二密度的至少兩倍。

10.根據權利要求1所述的電能存儲設備，其中，所述第一電極是陰極，并且所述第二電極是陽極。

11.根據權利要求1所述的電能存儲設備，其中，所述多個離子包括磁性離子和非磁性離子。

12.根據權利要求11所述的電能存儲設備，其中，所述磁性離子包括反磁性離子、順磁性離子、鐵磁性離子、反鐵磁性離子、亞鐵磁性離子或其任何組合。