[發(fā)明專(zhuān)利]具有反向堆積混合式添加結(jié)構(gòu)的穿模柱封裝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880054989.0
• 申請(qǐng)日: 2018-07-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111052372A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·H·育;J·F·克丁;A·帕卡姆圖;M·E·塔特爾
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/065
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/065;H01L23/485;H01L23/48;H01L23/31
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本文中揭示具有電耦合到重布結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裸片及位于所述重布結(jié)構(gòu)上方的模制材料的半導(dǎo)體裝置以及相關(guān)聯(lián)系統(tǒng)及方法。在一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體裝置包含附接到無(wú)襯底重布結(jié)構(gòu)的第一側(cè)的半導(dǎo)體裸片及延伸穿過(guò)安置于所述重布結(jié)構(gòu)的所述第一側(cè)上的模制材料的多個(gè)導(dǎo)電柱。所述半導(dǎo)體裝置還可包含位于所述模制材料上且電耦合到所述導(dǎo)電柱的第二重布結(jié)構(gòu)?？墒褂脝我惠d體且需要僅對(duì)半導(dǎo)體裝置的單一側(cè)的處理來(lái)制造所述半導(dǎo)體裝置。

相關(guān)申請(qǐng)案的交叉參考

本申請(qǐng)案含有與標(biāo)題為“使用線(xiàn)接合的混合式添加結(jié)構(gòu)可堆疊存儲(chǔ)器裸片(HYBRID ADDITIVE STRUCTURE STACKABLE MEMORY DIE USING WIRE BOND)”的約翰F.凱丁(John F.Kaeding)、阿肖克·帕恰穆圖(Ashok Pachamuthu)及陳H.柳(Chan H.Yoo)的同時(shí)申請(qǐng)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案相關(guān)的標(biāo)的物。相關(guān)申請(qǐng)案(其揭示內(nèi)容以引用的方式并入本文中)讓與美光科技有限公司(Micron Technology,Inc.)且由代理檔案號(hào)010829-9217.US00識(shí)別。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體裝置。特定來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及具有電耦合到重布結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裸片及位于所述重布結(jié)構(gòu)上方的模制材料的半導(dǎo)體裝置以及相關(guān)聯(lián)系統(tǒng)及方法。

背景技術(shù)

微電子裝置大體上具有裸片(即，芯片)，其包含具有高密度的極小組件的集成電路。通常，裸片包含電耦合到集成電路的極小接合墊陣列。接合墊是供應(yīng)電壓、信號(hào)等等通過(guò)其傳輸?shù)郊呻娐芳皬募呻娐穫鬏數(shù)耐獠侩娊狱c(diǎn)。在形成裸片之后，“封裝”裸片以將接合墊耦合到可更容易耦合到各種電力供應(yīng)線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)及接地線(xiàn)的較大電端子陣列。用于封裝裸片的常規(guī)工藝包含將裸片上的接合墊電耦合到引線(xiàn)、球墊或其它類(lèi)型的電端子的陣列且囊封裸片以保護(hù)其免受環(huán)境因素(例如水分、微粒、靜電及物理沖擊)影響。

不同類(lèi)型的裸片可具有大不相同接合墊布置，但應(yīng)與類(lèi)似外部裝置兼容。因此，既有封裝技術(shù)可包含在裸片上形成重布層(RDL)。RDL包含將裸片接合墊與RDL接合墊連接的線(xiàn)及/或通路，RDL接合墊又經(jīng)布置以與外部裝置的接合墊配合。在典型封裝工藝中，將許多裸片安裝于載體上(即，在晶片或面板級(jí)處)且在移除載體之前囊封裸片。接著，翻轉(zhuǎn)經(jīng)處理裝置及/或?qū)⑵涓浇拥降诙d體，使得可使用沉積及光刻技術(shù)來(lái)使RDL直接形成于裸片的正面上。最后，將引線(xiàn)、球墊或其它類(lèi)型的電端子的陣列安裝于RDL的接合墊上且分割經(jīng)處理裝置以形成個(gè)別裝置。

上述封裝技術(shù)的缺點(diǎn)在于其需要多個(gè)階段來(lái)移動(dòng)經(jīng)處理裝置(例如翻轉(zhuǎn)裝置及/或?qū)⑵涓浇拥降诙d體)。每一額外階段增加制造成本及制造過(guò)程期間的損壞風(fēng)險(xiǎn)(即，良率損失)。

附圖說(shuō)明

圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖2A及2B分別是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖及俯視圖。

圖3A到3G是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的各種階段中的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖4是包含根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所配置的半導(dǎo)體裝置的系統(tǒng)的示意圖。

具體實(shí)施方式