[發(fā)明專利]基板處理裝置及基板處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880052567.X
• 申請日: 2018-06-15
• 公開（公告）號: CN111052314B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉田幸史
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 宋曉寶;向勇

基板處理裝置(1)具備有：第1清洗液供給部(3)，其將堿性或酸性的第1清洗液供給至基板(9)的主表面(91)；及第2清洗液供給部(4)，其將含有增粘劑并且具有較第1清洗液高的粘度的第2清洗液供給至主表面(91)。在第1清洗液及第2清洗液中的一清洗液存在于主表面(91)的狀態(tài)下，另一清洗液被供給至主表面(91)。由此，可更確實地去除基板(9)的主表面(91)上不需要的物質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及基板處理裝置及基板處理方法。

背景技術(shù)

以往，在半導(dǎo)體基板(以下簡稱為“基板”)的制程中，會對基板的表面進行清洗處理。例如，在日本特表2012-533649號公報中，揭示有自基板表面將污染物質(zhì)去除的清洗劑。該清洗劑具備有溶劑與由1個以上的高分子化合物所構(gòu)成的聚合物，該聚合物具備有自基板的表面將污染物質(zhì)捕捉并加以引入的較長的聚合物鏈。另外，該清洗劑的粘度為約10cP(centipoise；厘泊)～約100000cP的范圍。

再者，在山內(nèi)慎及另外兩位所發(fā)表的“利用PTV(粒子追蹤測速術(shù)；Particletracking velocimetry)的液液二相流的水滴界面附近的流動測量”(多相流、日本多相流學會、2000年、第14卷、第4號、p.466-472)中，在玻璃制的薄壁圓管內(nèi)充滿硅油，以攝影機拍攝使含有追蹤粒子(tracer particle)的離子交換水(ion-exchanged water)的水滴在硅油內(nèi)沉降的狀況，由此確認在水滴的內(nèi)部有渦狀流動的發(fā)生。

然而，即便在使用清洗液的情形時，仍有無法適當?shù)厝コ宓闹鞅砻嫔系牟恍枰奈镔|(zhì)(微粒等)的情形。因此，需要尋求使用清洗液而更確實地去除基板的主表面上的不需要的物質(zhì)的新方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明面向基板處理裝置，其目的在于提供更確實地去除基板的主表面上的不需要的物質(zhì)的新方法。

本發(fā)明的基板處理裝置具備有：第1清洗液供給部，其將堿性或酸性的第1清洗液供給至基板的主表面；以及第2清洗液供給部，其將含有增粘劑并且具有較上述第1清洗液高的粘度的第2清洗液供給至上述主表面；在上述第1清洗液及上述第2清洗液中的一清洗液存在于上述主表面的狀態(tài)下，另一清洗液被供給至上述主表面。

根據(jù)本發(fā)明，可更確實地去除基板的主表面上不需要的物質(zhì)。

在本發(fā)明一優(yōu)選方式中，基板處理裝置進一步具備有：沖洗液供給部，其在上述第1清洗液及上述第2清洗液被供給至上述主表面的后，對上述主表面供給沖洗液。

在本發(fā)明另一優(yōu)選方式中，基板處理裝置進一步具備有：基板保持部，其以水平的姿勢保持上述基板；及基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，其以垂直于上述主表面的軸為中心使上述基板保持部進行旋轉(zhuǎn)；通過上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)對上述基板的旋轉(zhuǎn)，被形成于上述主表面上的上述第1清洗液與上述第2清洗液的界面沿著上述主表面移動。

在該情形時，優(yōu)選基板處理裝置進一步具備有：控制部，其對上述第1清洗液供給部及上述第2清洗液供給部進行控制；通過上述控制部的控制，在上述一清洗液的液膜被形成于上述主表面上的狀態(tài)下，上述另一清洗液被供給至上述主表面。

更佳通過上述另一清洗液被供給至上述主表面，在上述主表面上上述一清洗液被去除，并形成有上述另一清洗液的液膜，通過上述控制部的控制，在上述另一清洗液的液膜被形成于上述主表面上的狀態(tài)下，上述一清洗液被供給至上述主表面。

在本發(fā)明的又一優(yōu)選方式中，上述第1清洗液供給部或上述第2清洗液供給部具有將清洗液的液滴噴出的雙流體噴嘴。

在本發(fā)明又一優(yōu)選方式中，上述第1清洗液及上述第2清洗液為相同種類的清洗液。

在本發(fā)明一態(tài)樣中，上述第1清洗液所包含增粘劑的濃度較上述第2清洗液低，或者，上述第1清洗液未含有增粘劑。