[發明專利]制造陶瓷基板的方法以及陶瓷基板

有效

• 申請號: 201880048669.4
• 申請日: 2018-08-23
• 公開（公告）號: CN110945971B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 李志炯;樸益圣;趙顯春
• 申請（專利權）人: 阿莫善斯有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/03;H05K3/06
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 張瑋;王琳

本發明涉及一種用于制造陶瓷基板的方法，包括：將金屬層接合到陶瓷基材的兩個相對的表面；在所述金屬層上形成第一電極層和具有比所述第一電極層更大的體積的第二電極層；計算所述第一電極層的體積和所述第二電極層的體積；調整所述第二電極層的厚度，從而控制由于所述第一電極層的體積和所述第二電極層的體積之間的差異而導致的翹曲。本發明可以通過控制由基材的兩個表面上的金屬層占據的體積之差導致的翹曲來降低陶瓷基板的缺陷率。

技術領域

本發明涉及一種陶瓷基板的制造方法。更具體地，本發明涉及一種通過控制陶瓷基板的翹曲制造陶瓷基板的方法和通過該方法制造的陶瓷基板。

背景技術

在本領域中眾所周知的是，通過將諸如銅箔的金屬箔整體地附著到陶瓷基材來形成陶瓷基板。陶瓷基板通過諸如活性金屬釬焊(active?metal?brazing，AMB)、直接鍵合銅(direct?bond?copper，DBC)等制造工藝來制造，并且根據制造工藝可以分為陶瓷AMB基板、陶瓷DBC基板等。

陶瓷DBC基板的制造涉及將可氧化金屬直接接合至陶瓷基材，而陶瓷AMB基板的制造涉及將活性金屬釬焊至陶瓷基材以形成層并且將金屬釬焊至釬焊層。

在這兩種工藝中，會形成金屬層，然后進行光刻工藝，然后通過蝕刻形成圖案層。

然而，在陶瓷基材的相對的表面上形成金屬層時，取決于相對的表面上的圖案的布置，金屬層的面積或厚度可以彼此不同。當面積或厚度的差大于一定比率時，發生稱為“翹曲”的現象，在該現象中，基板在高溫環境下向相對的表面中的一個翹曲。

結果，當翹曲度大于0.3％時，不可避免地將基板作為次品丟棄。其發生率占總產量的相對較大部分，造成連續生產損失的問題。

根據經驗數據，當相對的金屬層之間的體積比達到75％至85％的范圍時，翹曲度大于0.3％。

如圖1中的示例，當形成在基材1的上表面上的金屬層2和形成在基材1的下表面上的金屬層3之間的體積比超出適當范圍時，基板可能在高溫環境下翹曲。如圖所示，將形成在下表面的金屬層3的體積較大的情況稱為負翹曲，與相反情況下的正翹曲相比，該負翹曲更容易發生。

上述問題可以通過增加基材的厚度來解決。然而，這種方法在經濟上受到限制，并且通常基材與金屬層保持約1：1的厚度比。

本發明涉及如圖1所示的控制基板的翹曲度的方法。

在背景技術部分中公開的以上信息僅用于增強對本發明背景技術的理解，因此，其可能包含不構成本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

[相關技術文獻]

[專利文獻]

(專利文獻1)韓國注冊專利號10-0731604

(專利文獻2)韓國注冊專利號10-1053141

發明內容

技術問題

因此，考慮到現有技術中出現的上述問題，做出了本發明，并且本發明的目的是提供一種通過控制由于在基材的相對的表面上的金屬層所占據的體積的差異而可能發生的翹曲來制造陶瓷基板的方法，從而降低了陶瓷基板的缺陷率，并提供了一種陶瓷基板。

技術方案

根據本發明的一個方面的制造陶瓷基板的方法包括：將金屬層接合到陶瓷基材的相對的表面中的每一個；在所述金屬層上形成第一電極層和具有比所述第一電極層更大的體積的第二電極層；計算所述第一電極層的體積和所述第二電極層的體積；以及控制所述第二電極層的厚度，從而控制由于所述第一電極層的體積和所述第二電極層的體積之間的差異而發生的翹曲。

此外，當所述第一電極層與所述第二電極層的體積比大于或等于75％并小于85％時，可以執行所述控制翹曲。